射频功率晶体管，1.2至1.4 GHz, 17 dB, NI780耳包

射频功率晶体管，GaN, 3.4至3.6 GHz, 12.6 dB, 48 V, DFN, 7.0 x 6.5 mm

射频功率晶体管，GaN，直流至5 GHz, 19 dB, 43 dBm, 48 V, DFN, 4.5 x 4.0

射频功率晶体管，SP4T, ACS

射频功率晶体管，GaN, 2.5至2.7 GHz

射频功率晶体管，DC - 25ghz, 16db, 5w, 28v, GaN， .60 x .55 x.10, DIE

射频功率晶体管，直流至25ghz,14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X。10日死亡

射频功率晶体管，DC至12 GHz, 27 W, 19.6 dB, 32 V, GaN, DIE

TriQuint TGF2023-2-20是一种基于SiCHEMT的20毫米分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供49.6 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.5 dB。最大功率增加效率为52%，这使得TGF2023-2-20适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

TriQuint TGF2023-2-10是基于SiCHEMT的离散10毫米GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供46.7 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.8 dB。最大功率增加效率为55%，这使得TGF2023-2-10适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

TriQuint TGF2023-2-05是一种基于SiCHEMT的5.0 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供43.9 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.8 dB。最大功率增加效率为56%，这使得TGF2023-2-05适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

TriQuint TGF2023-2-02是一种基于SiCHEMT的2.5 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25 um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供41 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为18dB。最大功率增加效率为58%，这使得TGF2023-2-02适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

TriQuint TGF2023-2-01是一种基于SiCHEMT的1.25 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25 um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供38 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为18 dB。最大功率增加效率为66%，这使得TGF2023-2-01适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

射频晶体管，直流- 3.2 GHz, 125 W, 50 V, GaN，耳NI-360

射频功率晶体管，.03- 1.215 GHz, 15W, 28v, GaN

射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 18 dB, 58.75 dBm, NI-780

射频功率晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 48v, 6w, DFN, 4.5 x 4.0 mm

射频功率晶体管，GaN，直流至1.7 GHz, 500 W, 50 V, NI-780 Pkg

射频功率晶体管，GaAs pHEMT, DC至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC到20 GHz, 10.4 dB, 32.5 dBm, DIE

RF晶体管，GaAs, DC到20 GHz, 14 dB, 22 dBm, DIE

Qorvo的QPD2025D是一种250微米的分立pHEMT，工作频率从直流到20 GHz。QPD2025D采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺具有先进的技术，在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。QPD2025D通常在P1dB时提供24 dBm的输出功率，增益为14 dB，在1dB压缩时功率增加效率为58%。这种性能使QPD2025D适用于高效率的应用。具有氮化硅的保护大衣层提供了一定程度的环境坚固性和划伤保护。

射频功率晶体管，GaN, 1.2 ~ 1.4 GHz, 21.3 dB, 61.8 dBm, NI-1230(带耳)

射频晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频功率晶体管，GaN, DC - 6 GHz, 18.8 dB, 45.4 dBm, 35w, 48v, QFN, 4 x 3mm

射频功率晶体管，.42至.45 GHz, 25.9 dB, 1300 W, NI-1230

射频功率晶体管，2.7 ~ 2.9 GHz, 21.2 dB, 56.3 dBm, 400w, 50v, GaN, 2-引脚，NI-780 Pkg(带耳)

射频晶体管，2.9至3.3 GHz, 15.5 dB, 57.7 dBm, 50 V, GaN, RF-565

射频晶体管，.96至1.215 GHz, 1800w, 65 V, 22.5 dB增益，NI-1230耳Pkg

射频功率晶体管，9.2至9.7 GHz, 28v, 30w, GaN IMFET

射频功率晶体管，2.7至3.1 GHz, 500 W, 50 V, GaN, RF-565, 17.4 x 24

射频功率晶体管，DC - 2700 MHz, 21.8 dB, 150 W, 65 V, GaN, 6引脚DFN

射频晶体管，.03至1.20 GHz, 20.8 dB, 5 W, 50 V, GaN, 6 x 5 mm

射频功率晶体管，3.1至3.5 GHz, 50v, 450w, GaN, RF-565

RF功率晶体管，DC至3.6 GHz, 48v, 75w, GaN，表面贴装塑料Pkg

射频功率晶体管，DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI- 360

射频功率晶体管，直流- 25ghz, 16db, 10w, 28v, GaN

射频功率晶体管，GaN, DC到4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN, 4 x 3 mm

射频功率晶体管，GaN，直流至25 GHz, 2 W, 28 V， .411 x .551 mm, DIE

射频功率晶体管，直流至25ghz, 15db, 7w, 28v, GaN

Qorvo的TGF2979-SM是一种25 W (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作频率从直流到12 GHz。该设备采用了经过验证的TQGaN25工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

该设备安装在一个行业标准的3 x 4毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准

Qorvo公司的TGF2978-SM是一种20w (P3dB)基于SiC HEMT的分立GaN，工作频率从直流到12 GHz。该设备采用了经过验证的TQGaN25工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

该设备安装在一个行业标准的3 x 4毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准

Qorvo TGF2977-SM是一个6 W (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作范围从直流到12 GHz。该设备采用经过验证的TQGaN25工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

该设备安装在一个行业标准的3 x 3毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准。

下载这个白皮书由英国Plextek RFI的设计师开发，展示了基于TGF2977-SM的单级功率放大器的出色性能，工作在x波段9.3至9.5GHz。

RF功率晶体管，DC至3.6 GHz, 25db, 48V, 49.5 dBm, GaN, DFN, 6引脚，7.2 x 6.6

Qorvo的TGF3021-SM是一款30 W (P3dB)宽带不匹配的SiC HEMT分立GaN，工作范围从DC到4 GHz，电源轨道为32V。该设备采用行业标准3x4mm QFN封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。评估板可根据要求提供。

Qorvo的TGF2929-FL是一款100 W (P3dB)宽带输入预匹配的SiC HEMT分立GaN，工作范围为直流至3.5 GHz，电源轨道为28V。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。评估板可根据要求提供。

Qorvo TGF2965-SM是一款6W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN，工作频率为0.03至3.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配，以优化频段内任何区域的功率和效率。

该设备安装在一个行业标准的3 x 3毫米表面贴装QFN封装。

射频功率晶体管，DC至4.0 GHz, 125 W, 50 V, GaN, NI-360陶瓷

Qorvo TGF3020-SM是一款5W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN，工作频率为4.0至6.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配，以优化频段内任何区域的功率和效率。

该设备安装在一个行业标准的3 x 3毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准。

评估板可根据要求提供。

TriQuint的TGF3015-SM是一种10W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN，工作范围为30 MHz至3.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配，以优化频段内任何区域的功率和效率。

该设备采用行业标准的3 x 3毫米封装，节省了空间已经有限的手持收音机的空间。

无铅，符合ROHS标准。