射频功率晶体管直流4.0 GHz, 125 W, 50 V,甘、镍- 360陶瓷

280 w GaN宽带脉冲功率放大器

RFHA1025 50 v 280 w高功率离散放大器用于l波段脉冲雷达、空中交通管制和监测和通用宽带放大器的应用程序。使用先进的高功率密度氮化镓(GaN)半导体过程,这些高性能放大器实现输出功率高、效率高、平坦的增益在一个广泛的频率范围在一个包中。RFHA1025是匹配功率晶体管在密封包装,法兰陶瓷包。包提供了出色的热稳定性通过使用先进的散热器和功耗的技术。易于集成是通过单一的整合,优化匹配网络,提供宽带增益和功率的性能在一个放大器。

射频功率晶体管,甘,1.2到1.4 GHz, 17 dB, 56 dBm, 375 W, 65 V, ni - 400

TriQuint的TGF3015-SM 10 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从30 MHz到3.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米的方案,节省了房地产已经对手持无线电。

无铅和通过无铅认证。

射频晶体管,甘,1.2到1.4 GHz, 450 W, 50 V, Ni50-CW, 19 x 17.68

射频功率晶体管,2.7到3.1 GHz, 500 W, 50 V,甘,RF - 565, 17.4 x 24

射频功率晶体管,1.2到1.4 GHz, 17 dB, NI780耳包

射频功率晶体管,GaN特区25 GHz, 2 W, 28 V, .411 x .551 mm,死亡

TriQuint TGF2023-2-01是一个离散的1.25毫米GaN SiCHEMT运营从直流到18 GHz。部分设计使用TriQuint的证明0.25嗯GaN生产过程。这个过程功能先进的场板技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。设备通常提供38 dBm的饱和输出功率与功率增益后的18 3 GHz。最大的功率效率是66%使TGF2023-2-01适合高效的应用程序。部分是无铅,通过无铅认证。

特点:

射频功率晶体管,甘,1.2到1.4 GHz, 18分贝,58.75 dBm, ni - 780

的Qorvo TGF2965-SM 6 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从0.03到3.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米表面山QFN包。

TriQuint T1G2028536-FS是285 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到2 GHz。

设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

TriQuint T1G2028536-FL是285 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到2 GHz。

设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

射频功率晶体管,30至1200 MHz, 15 W, 50 V,甘,有四,DFN 6 x 5毫米

射频Transitor, 2.7到3.5 GHz 18.4 dB, 45 dBm, 30 W GaN 50 V, DFN, 6 x 5

射频功率晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 48 V, 6 W, DFN, 4.5 x 4.0毫米

射频晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频功率晶体管,GaN特区- 6 GHz 18.8 dB, 45.4 dBm, 35 W, 48 V, QFN 4 x 3毫米

射频功率晶体管,GaN特区5 GHz, 19 dB, 43 dBm, 48 V, DFN, 4.5 x 4.0

射频功率晶体管,03 - 1.215 GHz, 15 w, 28 V,氮化镓

Qorvo TGF3021-SM是30 W (P3dB)宽带无与伦比的离散GaN SiC HEMT运营从直流到4 GHz和32 v供应铁路。该设备是在一个行业标准3 x4mm QFN包,适合军用和民用雷达、陆地移动和军事无线电通讯,航空电子设备和测试仪器。设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅和通过无铅认证。评估董事会可按照客户要求定制。

射频功率晶体管直流12 GHz 27 W, 19.6 dB, 32 V,甘,死亡

射频功率晶体管,DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V,甘、镍- 360

射频晶体管,1.2 - 1.4 GHz, 500 W, 50 V,甘,RF - 565包裹

射频晶体管,1.20 GHz, 03, 20.8 dB, 5 W, 50 V,甘,6 x 5毫米

射频功率晶体管,1.2 GHz, 03 21 dB, 39.4 dBm, 50 V, DFN / SMT 6 x 5毫米

射频功率晶体管,甘,1.2到1.4 GHz, 21.3 dB, 61.8 dBm, ni - 1230(听)

射频功率晶体管,DC - 2700兆赫,21.8 dB, 150 W、65 V,甘、6针DFN

射频功率晶体管,GaN特区4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN 4 x 3毫米

射频功率晶体管,直流3.6 GHz, 48 V, 75 W,甘、表面安装塑料包裹

射频晶体管,1800 .96点1.215 GHz, W, 65 V, 22.5分贝增益,ni - 1230耳包裹

射频晶体管,1.0到1.1 GHz, 22.5 dB, 62.2 dBm, 1800 W、65 V,甘,无耳的ni - 1230包裹

射频晶体管,权力,2.62到2.69 GHz, 53 dBm, 48 V,甘、镍- 400陶瓷

射频功率晶体管直流- 1.7 GHz 50 V, 500 W,甘,ni - 780包裹

射频晶体管直流- 12 GHz 24分贝,10 W, 32 V, 3 x 3毫米,QFN甘

射频功率晶体管直流- 4.0 GHz 15 W, 50 V, 3 x 3毫米,氮化镓

射频功率晶体管直流- 4.0 GHz 10 W, 50 V, 3 x 3毫米,氮化镓

射频功率晶体管,直流3.6 GHz, 25 dB, 48 v, 49.5 dBm,甘,DFN, 6针,7.2 x 6.6

射频功率晶体管,点。45 GHz, 25.9 dB, 1300 W, ni - 1230