Qorvo的QPD1000是一个15W (P3dB), 50欧姆输入匹配的离散GaN SiC HEMT,工作频率从30MHz到1.215 GHz。集成的输入匹配网络可以实现宽带增益和功率性能,而输出可以在板上匹配,以优化频带内任何区域的功率和效率。
该设备被安置在一个5 x 6毫米无铅SMT封装,节省了已经空间有限的手持无线电的房地产。
无铅,符合ROHS要求
可根据要求提供评估委员会。
| 频率最小值(MHz) | 30. |
| 频率最大值(MHz) | 1215年 |
| 增益(dB) | 19 |
| Psat(dBm) | 43.8 |
| PAE(%) | 78.2 |
| Vd(V) | 28 |
| 容器(马) | 50 |
| 封装类型 | DFN |
| 封装(毫米) | 5 x 6 |
| RoHS | 是的 |
| 无铅 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| ITAR的限制 | 没有 |
该产品有一个modelthics非线性模型。
Qorvo和Modelithics为Qorvo GaN晶体管器件提供高精度非线性仿真模型。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并使用每个模型的模型信息数据表进行了完整的文档记录。了解更多.