Qorvo QPD1004是一个25W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN器件，在50 V电源轨上从30到1200 MHz工作。集成的输入匹配网络可以实现宽带增益和功率性能，而输出可以在板上匹配，以优化频带内任何区域的功率和效率。
该设备安装在一个工业标准6 x 5毫米表面安装DFN包中。
无铅，符合ROHS要求。可根据要求提供评估委员会。
典型的应用
- 军用雷达
- 商业雷达
- 陆地移动和军用无线电通信
- 有源天线
- 基站
- 干扰器
| 频率最小(MHz) | 30. |
| 频率最大(MHz) | 1，200 |
| 获得(dB) | 20.8 |
| PAE（%） | 73.2 |
| Vd(V) | 50 |
| 容器(马) | 50 |
| 包类型 | DFN |
| 包(毫米) | 6.0 x 5.0 |
| RoHS | 是的 |
| 无铅 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| ITAR的限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |
Modelithics®Qorvo GaN库
该产品有一个modelthics非线性模型。
Qorvo和Modelithics为Qorvo GaN晶体管器件提供高精度非线性仿真模型。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成，并使用每个模型的模型信息数据表进行了完整的文档记录。了解更多．