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笔记1:@ 1.0GHz负荷拉动
Qorvo QPD1025是SIC HEMT上的1800 W(P3DB)离散GaN,其从.96到1.215 GHz。包装内的输入重生导致外部板的易于匹配和节省板空间。该器件位于行业标准空气腔包中,非常适用于IFF,航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持CW和脉冲操作。
无铅和符合RoHS。
可根据要求提供评估板。
有关GaN热性能的其他信息,请参阅以下内容应用笔记和视频。
通道,无线和宽带接入的GaN晶体管,放大器和集成产品
2018年6月5日
Qorvo®推出业主最强大的gan-on-siC繁体管
2018年3月13日
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