射频功率晶体管，直流至6 GHz, 30 W, 14 dB, 28 V, GaN

射频功率晶体管，9.2至9.7 GHz, 28v, 30w, GaN IMFET

射频功率晶体管，GaN, DC - 6 GHz, 18.8 dB, 45.4 dBm, 35w, 48v, QFN, 4 x 3mm

射频功率晶体管，GaN, DC到4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN, 4 x 3 mm

TriQuint TGF2023-2-10是基于SiCHEMT的离散10毫米GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供46.7 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.8 dB。最大功率增加效率为55%，这使得TGF2023-2-10适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

Qorvo的T2G4005528-FS是一款55 W (P3dB)宽带输入预匹配的SiC HEMT离散GaN，工作范围为直流至3.5 GHz和28V电源轨。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准

评估板可根据要求提供。

射频功率晶体管，GaN, 3.4至3.6 GHz, 12.6 dB, 48 V, DFN, 7.0 x 6.5 mm

射频功率晶体管，GaN, 3.3至3.6 GHz, 13.3 dB, 49.5 dBm, 60 W, DFN, 7 x 6.5 mm

射频功率晶体管，DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI-360

RF功率晶体管，DC至3.6 GHz, 48v, 75w, GaN，表面贴装塑料Pkg

TriQuint TGF2023-2-20是一种基于SiCHEMT的20毫米分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供49.6 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.5 dB。最大功率增加效率为52%，这使得TGF2023-2-20适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

RF功率晶体管，DC至3.6 GHz, 25db, 48V, 49.5 dBm, GaN, DFN, 6引脚，7.2 x 6.6

Qorvo的TGF2929-FL是一款100 W (P3dB)宽带输入预匹配的SiC HEMT分立GaN，工作范围为直流至3.5 GHz，电源轨道为28V。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。评估板可根据要求提供。

Qorvo TGF2819-FL是一种功率大于200w峰值(平均功率40w) (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作范围为直流至4.0 GHz。该设备采用Qorvo经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准

评估板可根据要求提供。

TriQuint Qorvo TGF2929-FL是一种107 W (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作频率从直流到3.5 GHz。该设备采用成熟的TQGaN25HV工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准。

TriQuint TGF2819-FS是一种基于SiC HEMT的峰值大于100w(平均功率为20w) (P3dB)的分立GaN，工作范围从直流到3.5 GHz。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准。

TriQuint T1G4012036-FS是一个120 W峰值(平均24 W) (P3dB) SiC HEMT上的离散GaN，从直流到3.5 GHz工作。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

射频功率晶体管，DC至4.0 GHz, 125 W, 50 V, GaN, NI-360陶瓷

射频功率晶体管，DC - 2700 MHz, 21.8 dB, 150 W, 65 V, GaN, 6引脚DFN

RF晶体管，功率，2.62至2.69 GHz, 53 dBm, 48 V, GaN, NI-400陶瓷

RF晶体管，功率，2.575 - 2.635 GHz, 53.5 dBm, 15.9 dB, 48v, GaN, N-780陶瓷Pkg

TriQuint T1G4020036-FL是一个240 W峰值(平均48 W) (P3dB) SiC HEMT上的离散GaN，从直流到3.5 GHz工作。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准。

TriQuint T1G4020036-FS是一个240 W峰值(平均48 W) (P3dB) SiC HEMT上的离散GaN，从直流到3.5 GHz工作。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准

280W GaN宽带脉冲功率放大器

RFHA1025是一款50V 280W的大功率分立放大器，专为l波段脉冲雷达、空中交通管制和监视以及通用宽带放大器应用而设计。采用先进的高功率密度氮化镓(GaN)半导体工艺，这些高性能放大器在单个封装中实现了宽频率范围内的高输出功率、高效率和平坦增益。RFHA1025是一个匹配的功率晶体管封装在一个密封，法兰陶瓷封装。该封装通过使用先进的散热片和功耗技术提供了优异的热稳定性。集成的便捷性是通过在单个放大器中加入单个优化的匹配网络来实现的，这些网络提供宽带增益和功率性能。

TriQuint T1G2028536-FS是一个285 W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，从直流到2 GHz工作。

该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

TriQuint T1G2028536-FL是一种285 W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，从直流到2 GHz工作。

该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 17 dB, 55 dBm, 375 W, 65 V, NI-400

射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 17 dB, 56 dBm, 375 W, 65 V, NI-400

射频功率晶体管，2.7 ~ 2.9 GHz, 21.2 dB, 56.3 dBm, 400w, 50v, GaN, 2-引脚，NI-780 Pkg(带耳)

射频功率晶体管，3.1至3.5 GHz, 50v, 450w, GaN, RF-565

射频晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 450w, 50 V, Ni50-CW, 19 x 17.68

射频功率晶体管，GaN，直流至1.7 GHz, 500 W, 50 V, NI-780 Pkg

射频功率晶体管，2.7至3.1 GHz, 500 W, 50 V, GaN, RF-565, 17.4 x 24

射频功率晶体管，DC - 1.7 GHz, 50 V, 500 W, GaN, NI-780 Pkg

射频晶体管，1.2 - 1.4 GHz, 500 W, 50 V, GaN, RF-565 Pkg

射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 18 dB, 58.75 dBm, NI-780

射频功率晶体管，.42至.45 GHz, 25.9 dB, 1300 W, NI-1230

射频功率晶体管，GaN, 1.2 ~ 1.4 GHz, 21.3 dB, 61.8 dBm, NI-1230(带耳)

射频晶体管，.96至1.215 GHz, 1800w, 65 V, 22.5 dB增益，NI-1230耳Pkg

射频晶体管，1.0 ~ 1.1 GHz, 22.5 dB, 62.2 dBm, 1800w, 65v, GaN，无耳，ni - 1230pkg