射频晶体管，直流- 3.2 GHz, 125 W, 50 V, GaN，耳NI-360

射频功率晶体管，1.2至1.4 GHz, 17 dB, NI780耳包

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC到20 GHz, 10.4 dB, 32.5 dBm, DIE

射频功率晶体管，GaAs pHEMT, DC至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

射频功率晶体管，GaAs pHEMT, DC至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

Qorvo的QPD2025D是一种250微米的分立pHEMT，工作频率从直流到20 GHz。QPD2025D采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺具有先进的技术，在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。QPD2025D通常在P1dB时提供24 dBm的输出功率，增益为14 dB，在1dB压缩时功率增加效率为58%。这种性能使QPD2025D适用于高效率的应用。具有氮化硅的保护大衣层提供了一定程度的环境坚固性和划伤保护。

RF晶体管，GaAs, DC到20 GHz, 14 dB, 22 dBm, DIE

射频晶体管，2.9至3.3 GHz, 15.5 dB, 57.7 dBm, 50 V, GaN, RF-565

射频功率晶体管，DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI- 360

Qorvo的T2G6000528-Q3是一种10 W (P3dB)宽带不匹配的SiC HEMT离散GaN，工作范围从DC到6 GHz和28V电源轨道。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准

评估板可根据要求提供。

射频功率晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 16 dB, 41.3 dBm, 4.5 x 4.0, DFN

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC到20 GHz, 12 dB, 28 dBM, DIE

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC- 20ghz, 13 dB, 26 dBm, DIE

射频功率晶体管，SP4T, ACS

RF功率晶体管，2.5至2.7 GHz, 200 W, 48 V

射频功率晶体管，GaN, 2.5至2.7 GHz

射频功率晶体管，GaN，直流至25 GHz, 2 W, 28 V， .411 x .551 mm, DIE

射频功率晶体管，DC - 25ghz, 16db, 5w, 28v, GaN， .60 x .55 x.10, DIE

Qorvo TGF2977-SM是一个6 W (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作范围从直流到12 GHz。该设备采用经过验证的TQGaN25工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

该设备安装在一个行业标准的3 x 3毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准。

下载这个白皮书由英国Plextek RFI的设计师开发，展示了基于TGF2977-SM的单级功率放大器的出色性能，工作在x波段9.3至9.5GHz。

Qorvo TGF2965-SM是一款6W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN，工作频率为0.03至3.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配，以优化频段内任何区域的功率和效率。

该设备安装在一个行业标准的3 x 3毫米表面贴装QFN封装。

Qorvo TGF3020-SM是一款5W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN，工作频率为4.0至6.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配，以优化频段内任何区域的功率和效率。

该设备安装在一个行业标准的3 x 3毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准。

评估板可根据要求提供。

射频功率晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 48v, 6w, DFN, 4.5 x 4.0 mm

TriQuint TGF2023-2-01是一种基于SiCHEMT的1.25 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25 um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供38 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为18 dB。最大功率增加效率为66%，这使得TGF2023-2-01适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

射频功率晶体管，直流至25ghz, 15db, 7w, 28v, GaN

射频晶体管，GaN, 3.4至3.6 GHz, 15 dB, 47 dBm, DFN, 7 x 6.5 mm

射频晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频功率晶体管，.03至1.2 GHz, 21 dB, 39.4 dBm, 50 V, DFN/ SMT 6 x 5mm

射频功率晶体管，直流- 25ghz, 16db, 10w, 28v, GaN

TriQuint的TGF3015-SM是一种10W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的SiC HEMT离散GaN，工作范围为30 MHz至3.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可在板上匹配，以优化频段内任何区域的功率和效率。

该设备采用行业标准的3 x 3毫米封装，节省了空间已经有限的手持收音机的空间。

无铅，符合ROHS标准。

RF晶体管，DC - 12 GHz, 24 dB, 10 W, 32 V, GaN, 3 x 3 mm, QFN

射频功率晶体管，DC - 4.0 GHz, 10 W, 50 V, 3 × 3毫米，GaN

TriQuint TGF2023-2-02是一种基于SiCHEMT的2.5 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25 um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供41 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为18dB。最大功率增加效率为58%，这使得TGF2023-2-02适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

射频功率晶体管，直流至25ghz,14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X。10日死亡

射频功率晶体管，.03- 1.215 GHz, 15W, 28v, GaN

TriQuint T2G6001528-SG是一种15W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，工作频率从直流到6.0 GHz。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压工况下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

射频功率晶体管，GaN, 2.5 ~ 2.7 GHz, 15 dB, 50.5 dBm, DFN, 7 x 6.5 mm

射频功率晶体管，30 ~ 1200mhz, 15w, 50v, GaN, 8引脚，DFN, 6 x 5mm

射频功率晶体管，DC- 4.0 GHz, 15 W, 50 V, 3 × 3毫米，GaN

Qorvo的T2G6001528-Q3是一款15 W (P3dB)宽带不匹配的SiC HEMT离散GaN，工作范围从DC到6 GHz和28V电源轨道。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。评估板可根据要求提供。

射频功率晶体管，直流- 6 GHz, 18 W, 9 dB, 28 V, GaN

Qorvo公司的TGF2978-SM是一种20w (P3dB)基于SiC HEMT的分立GaN，工作频率从直流到12 GHz。该设备采用了经过验证的TQGaN25工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

该设备安装在一个行业标准的3 x 4毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准

射频功率晶体管，GaN，直流至5 GHz, 19 dB, 43 dBm, 48 V, DFN, 4.5 x 4.0

射频晶体管，.03至1.20 GHz, 20.8 dB, 5 W, 50 V, GaN, 6 x 5 mm

Qorvo的TGF2979-SM是一种25 W (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作频率从直流到12 GHz。该设备采用了经过验证的TQGaN25工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

该设备安装在一个行业标准的3 x 4毫米表面贴装QFN封装。

无铅，符合ROHS标准

TriQuint TGF2023-2-05是一种基于SiCHEMT的5.0 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供43.9 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.8 dB。最大功率增加效率为56%，这使得TGF2023-2-05适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

射频功率晶体管，DC至12 GHz, 27 W, 19.6 dB, 32 V, GaN, DIE

Qorvo的TGF3021-SM是一款30 W (P3dB)宽带不匹配的SiC HEMT分立GaN，工作范围从DC到4 GHz，电源轨道为32V。该设备采用行业标准3x4mm QFN封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。评估板可根据要求提供。

TriQuint T2G6003028-FL是一个30 W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，工作从直流到6 GHz。该设备采用TriQuint经过验证的0.25 um工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

特点:

TriQuint T2G6003028-FS是一个30 W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，工作从直流到6 GHz。该设备采用TriQuint经过验证的0.25 um工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

特点:

射频晶体管，2.7至3.5 GHz, 18.4 dB, 45 dBm, 30 W GaN, 50 V, DFN, 6 x 5