射频功率晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 48 V, 6 W, DFN, 4.5 x 4.0毫米

射频功率晶体管,GaN特区5 GHz, 19 dB, 43 dBm, 48 V, DFN, 4.5 x 4.0

射频晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频功率晶体管,甘,1.2到1.4 GHz, 17 dB, 55 dBm, 375 W, 65 V, ni - 400

射频功率晶体管,GaN特区1.7 GHz, 500 W, 50 V, ni - 780包裹

射频功率晶体管,1.2到1.4 GHz, 17 dB, NI780耳包

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 10.4 dB, 32.5 dBm,死亡

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm,死亡

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm,死亡

250 -微米pHEMT Qorvo QPD2025D是一个离散的运营从直流到20 GHz。QPD2025D设计使用Qorvo证明标准0.25 um pHEMT生产过程。这个过程特性先进技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。QPD2025D通常提供24 dBm的输出功率P1dB增益14 dB和58% power-added 1 dB压缩效率。这种性能使QPD2025D适合高效的应用程序。保护外套与氮化硅层提供了一个环境鲁棒性和划痕保护水平。

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 12 dB, 28 dBM,死亡

射频晶体管,砷化镓,直流到20 GHz, 14 dB, 22 dBm,死亡

射频功率晶体管,甘,1.2到1.4 GHz, 21.3 dB, 61.8 dBm, ni - 1230(听)

射频功率晶体管,点。45 GHz, 25.9 dB, 1300 W, ni - 1230

射频晶体管,2.9到3.3 GHz, 15.5 dB, 57.7 dBm, 50 V,甘,RF - 565

射频功率晶体管,9.2到9.7 GHz, 28 V, 30 W, GaN IMFET

射频功率晶体管,2.7到3.1 GHz, 500 W, 50 V,甘,RF - 565, 17.4 x 24

射频功率晶体管,DC - 2700兆赫,21.8 dB, 150 W、65 V,甘、6针DFN

射频晶体管,1.20 GHz, 03, 20.8 dB, 5 W, 50 V,甘,6 x 5毫米

射频晶体管直流- 12 GHz 24分贝,10 W, 32 V, 3 x 3毫米,QFN甘

射频功率晶体管,3.1到3.5 GHz, 50 V, 450 W,甘,RF - 565

射频功率晶体管,直流3.6 GHz, 48 V, 75 W,甘、表面安装塑料包裹

射频功率晶体管,30至1200 MHz, 15 W, 50 V,甘,有四,DFN 6 x 5毫米

射频功率晶体管直流- 1.7 GHz 50 V, 500 W,甘,ni - 780包裹

射频功率晶体管,DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V,甘、镍- 360

射频功率晶体管直流- 25 GHz 16分贝,10 W, 28 V,氮化镓

射频功率晶体管直流- 25 Ghz 16分贝,5 W, 28 V,甘,.60 x。55。10日死亡

射频功率晶体管,GaN特区4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN 4 x 3毫米

射频功率晶体管,DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V,甘、镍- 360

射频晶体管,1.2 - 1.4 GHz, 500 W, 50 V,甘,RF - 565包裹

射频功率晶体管直流25 GHz 15分贝,7 W, 28 V,氮化镓

射频功率晶体管,GaN特区25 GHz, 2 W, 28 V, .411 x .551 mm,死亡

射频功率晶体管,03 - 1.215 GHz, 15 w, 28 V,氮化镓

Qorvo TGF2979-SM是25 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到12 GHz。设备构造与他们证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

设备被安置在一个行业标准3 x 4毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证

Qorvo TGF2978-SM是20 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到12 GHz。设备构造与他们证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

设备被安置在一个行业标准3 x 4毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证

的Qorvo TGF2977-SM 6 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到12 GHz。设备构造与证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证。

下载这个白皮书由设计师Plextek RFI在英国展示的优秀性能单级功率放大器基于TGF2977-SM操作在x波段9.3到9.5 ghz。

射频功率晶体管,直流3.6 GHz, 25 dB, 48 v, 49.5 dBm,甘,DFN, 6针,7.2 x 6.6

Qorvo TGF2929-FL是100 W (P3dB)宽带输入针对预匹配离散GaN SiC HEMT运营从直流到3.5 GHz和28 v供应铁路。该设备是在一个行业标准空气腔包,适合军用和民用雷达、陆地移动和军事无线电通讯,航空电子设备和测试仪器。设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅和通过无铅认证。评估董事会可按照客户要求定制。

射频功率晶体管直流4.0 GHz, 125 W, 50 V,甘、镍- 360陶瓷

射频功率晶体管直流12 GHz 27 W, 19.6 dB, 32 V,甘,死亡

的Qorvo TGF3020-SM 5 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从4.0到6.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证。

评估董事会可按照客户要求定制。

TriQuint的TGF3015-SM 10 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从30 MHz到3.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米的方案,节省了房地产已经对手持无线电。

无铅和通过无铅认证。

的Qorvo TGF2819-FL是一个大于200 W峰值(40 W Avg。) (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到4.0 GHz。设备构造与Qorvo证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

无铅和通过无铅认证

评估董事会可按照客户要求定制。

TriQuint T1G4020036-FS是240 W峰值(48 W Avg。) (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到3.5 GHz。设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

无铅和通过无铅认证

TriQuint T2G6001528-SG是15 w (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到6.0 GHz。设备构造与TriQuint的证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

TriQuint T2G6003028-FL是30 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到6 GHz。0.25设备构造与TriQuint的证明过程,具有先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

特点:

Qorvo T2G4005528-FS是55 W (P3dB)宽带输入针对预匹配离散GaN SiC HEMT运营从直流到3.5 GHz和28 v供应铁路。该设备是在一个行业标准空气腔包,适合军用和民用雷达、陆地移动和军事无线电通讯,航空电子设备和测试仪器。设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅和通过无铅认证

评估董事会可按照客户要求定制。

TriQuint TGF2023-2-10是一个离散的10毫米GaN SiCHEMT运营从直流到18 GHz。部分设计使用TriQuint的证明0.25嗯GaN生产过程。这个过程功能先进的场板技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。设备通常提供46.7 dBm的饱和输出功率与功率增益为17.8 dB 3 GHz。最大的功率效率是55%使TGF2023-2-10适合高效的应用程序。部分是无铅,通过无铅认证。

特点:

TriQuint TGF2023-2-20是一个离散的20毫米GaN SiCHEMT运营从直流到18 GHz。部分设计使用TriQuint的证明0.25嗯GaN生产过程。这个过程功能先进的场板技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。设备通常提供49.6 dBm的饱和输出功率与功率增益为17.5 dB 3 GHz。最大的功率效率是52%使TGF2023-2-20适合高效的应用程序。部分是无铅,通过无铅认证。

特点:

TriQuint TGF2023-2-05是一个离散的5.0毫米GaN SiCHEMT运营从直流到18 GHz。部分设计使用TriQuint的证明0.25嗯GaN生产过程。这个过程功能先进的场板技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。设备通常提供43.9 dBm的饱和输出功率与功率增益为17.8 dB 3 GHz。最大的功率效率是56%使TGF2023-2-05适合高效的应用程序。部分是无铅,通过无铅认证。

特点: