射频功率晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 48 V, 6 W, DFN, 4.5 x 4.0毫米

射频功率晶体管,点。45 GHz, 25.9 dB, 1300 W, ni - 1230

射频晶体管直流- 12 GHz 24分贝,10 W, 32 V, 3 x 3毫米,QFN甘

射频功率晶体管直流- 25 GHz 16分贝,10 W, 28 V,氮化镓

射频功率晶体管直流- 25 Ghz 16分贝,5 W, 28 V,甘,.60 x。55。10日死亡

射频功率晶体管,GaN特区25 GHz, 2 W, 28 V, .411 x .551 mm,死亡

TriQuint T2G6001528-SG是15 w (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到6.0 GHz。设备构造与TriQuint的证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

280 w GaN宽带脉冲功率放大器

RFHA1025 50 v 280 w高功率离散放大器用于l波段脉冲雷达、空中交通管制和监测和通用宽带放大器的应用程序。使用先进的高功率密度氮化镓(GaN)半导体过程,这些高性能放大器实现输出功率高、效率高、平坦的增益在一个广泛的频率范围在一个包中。RFHA1025是匹配功率晶体管在密封包装,法兰陶瓷包。包提供了出色的热稳定性通过使用先进的散热器和功耗的技术。易于集成是通过单一的整合,优化匹配网络,提供宽带增益和功率的性能在一个放大器。

射频功率晶体管

射频功率晶体管,甘,3.4到3.6 GHz, 12.6 dB, 48 V, DFN, 7.0 x 6.5毫米

射频晶体管,甘,3.4到3.6 GHz, 15分贝,47 dBm, DFN 7 x 6.5毫米

射频功率晶体管,SP4T, ACS

射频功率晶体管,2.5到2.7 GHz, 200 W, 48 V

射频晶体管,权力,2.62到2.69 GHz, 53 dBm, 48 V,甘、镍- 400陶瓷

射频晶体管、电力、2.575 - 2.635 GHz 53.5 dBm, 15.9 dB, 48 V,甘,n - 780陶瓷包裹

射频功率晶体管,甘,2.5到2.7 GHz

射频功率晶体管直流6 GHz 30 W, 14 dB, 28 V,氮化镓

射频功率晶体管,DC - 6 GHz, 18 W 9 dB, 28 V,氮化镓

TriQuint的Qorvo TGF2929-FL是107 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到3.5 GHz。设备是由证明TQGaN25HV流程,功能先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

无铅和通过无铅认证。

TriQuint TGF2819-FS是大于100 W峰值(20 W Avg。) (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到3.5 GHz。设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

无铅和通过无铅认证。

TriQuint T1G2028536-FS是285 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到2 GHz。

设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

TriQuint T1G2028536-FL是285 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到2 GHz。

设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

TriQuint T1G4012036-FS是120 W峰值(24 W avg。) (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到3.5 GHz。设备构造与TriQuint的证明TQGaN25HV过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

射频晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频晶体管,砷化镓,直流到20 GHz, 14 dB, 22 dBm,死亡

250 -微米pHEMT Qorvo QPD2025D是一个离散的运营从直流到20 GHz。QPD2025D设计使用Qorvo证明标准0.25 um pHEMT生产过程。这个过程特性先进技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。QPD2025D通常提供24 dBm的输出功率P1dB增益14 dB和58% power-added 1 dB压缩效率。这种性能使QPD2025D适合高效的应用程序。保护外套与氮化硅层提供了一个环境鲁棒性和划痕保护水平。

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区- 20 GHz, 13分贝,26 dBm,死亡

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 12 dB, 28 dBM,死亡

射频功率晶体管,甘,2.5到5.0 GHz, 16分贝,41.3 dBm, 4.5 x 4.0, DFN

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm,死亡

射频功率晶体管,GaN特区5 GHz, 19 dB, 43 dBm, 48 V, DFN, 4.5 x 4.0

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm,死亡

射频功率晶体管,砷化镓pHEMT特区20 GHz, 10.4 dB, 32.5 dBm,死亡

的Qorvo TGF2977-SM 6 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到12 GHz。设备构造与证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证。

下载这个白皮书由设计师Plextek RFI在英国展示的优秀性能单级功率放大器基于TGF2977-SM操作在x波段9.3到9.5 ghz。

TriQuint TGF2023-2-01是一个离散的1.25毫米GaN SiCHEMT运营从直流到18 GHz。部分设计使用TriQuint的证明0.25嗯GaN生产过程。这个过程功能先进的场板技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。设备通常提供38 dBm的饱和输出功率与功率增益后的18 3 GHz。最大的功率效率是66%使TGF2023-2-01适合高效的应用程序。部分是无铅,通过无铅认证。

特点:

的Qorvo TGF2965-SM 6 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从0.03到3.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米表面山QFN包。

射频功率晶体管直流- 4.0 GHz 15 W, 50 V, 3 x 3毫米,氮化镓

TriQuint TGF2023-2-02是一个离散的2.5毫米GaN SiCHEMT运营从直流到18 GHz。部分设计使用TriQuint的证明0.25嗯GaN生产过程。这个过程功能先进的场板技术优化微波功率和效率在高流失偏见操作条件。设备通常提供41 dBm的饱和输出功率与功率增益后的18 3 GHz。最大的功率效率是58%使TGF2023-2-02适合高效的应用程序。部分是无铅,通过无铅认证。

特点:

射频功率晶体管,GaN特区- 6 GHz 18.8 dB, 45.4 dBm, 35 W, 48 V, QFN 4 x 3毫米

Qorvo TGF2978-SM是20 W (P3dB)离散GaN SiC HEMT运营从直流到12 GHz。设备构造与他们证明TQGaN25过程,这档节目的特点就是先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。

设备被安置在一个行业标准3 x 4毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证

射频功率晶体管直流- 4.0 GHz 10 W, 50 V, 3 x 3毫米,氮化镓

射频功率晶体管,1.2 GHz, 03 21 dB, 39.4 dBm, 50 V, DFN / SMT 6 x 5毫米

的Qorvo TGF3020-SM 5 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从4.0到6.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米表面山QFN包。

无铅和通过无铅认证。

评估董事会可按照客户要求定制。

射频功率晶体管直流25 GHz 15分贝,7 W, 28 V,氮化镓

射频功率晶体管,GaN特区4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN 4 x 3毫米

射频功率晶体管,30至1200 MHz, 15 W, 50 V,甘,有四,DFN 6 x 5毫米

TriQuint的TGF3015-SM 10 w (P3dB), 50 ohm-input匹配离散GaN SiC HEMT运营从30 MHz到3.0 GHz。综合输入匹配网络使宽带增益和功率性能,而输出可以匹配优化功率和效率上任何地区内的乐队。

设备被安置在一个行业标准3 x 3毫米的方案,节省了房地产已经对手持无线电。

无铅和通过无铅认证。

射频功率晶体管,9.2到9.7 GHz, 28 V, 30 W, GaN IMFET

射频功率晶体管,甘,3.3到3.6 GHz, 13.3 dB, 49.5 dBm, 60 W, DFN 7 x 6.5毫米

射频功率晶体管,甘,2.5到2.7 GHz, 15分贝,50.5 dBm, DFN 7 x 6.5毫米