射频晶体管，2.9至3.3 GHz, 15.5 dB, 57.7 dBm, 50 V, GaN, RF-565

射频功率晶体管，DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI- 360

射频功率晶体管，SP4T, ACS

射频功率晶体管，.03至1.2 GHz, 21 dB, 39.4 dBm, 50 V, DFN/ SMT 6 x 5mm

射频晶体管，直流- 3.2 GHz, 125 W, 50 V, GaN，耳NI-360

RF功率晶体管，2.5至2.7 GHz, 200 W, 48 V

射频功率晶体管，GaN, 2.5至2.7 GHz

射频功率晶体管，直流- 6 GHz, 18 W, 9 dB, 28 V, GaN

射频功率晶体管，直流至6 GHz, 30 W, 14 dB, 28 V, GaN

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC到20 GHz, 10.4 dB, 32.5 dBm, DIE

射频功率晶体管，GaAs pHEMT, DC至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC到20 GHz, 12 dB, 28 dBM, DIE

RF功率晶体管，GaAs pHEMT, DC- 20ghz, 13 dB, 26 dBm, DIE

RF晶体管，GaAs, DC到20 GHz, 14 dB, 22 dBm, DIE

Qorvo的QPD2025D是一种250微米的分立pHEMT，工作频率从直流到20 GHz。QPD2025D采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺具有先进的技术，在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。QPD2025D通常在P1dB时提供24 dBm的输出功率，增益为14 dB，在1dB压缩时功率增加效率为58%。这种性能使QPD2025D适用于高效率的应用。具有氮化硅的保护大衣层提供了一定程度的环境坚固性和划伤保护。

射频功率晶体管，GaAs pHEMT, DC至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 18 dB, 58.75 dBm, NI-780

射频功率晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 48v, 6w, DFN, 4.5 x 4.0 mm

射频功率晶体管，1.2至1.4 GHz, 17 dB, NI780耳包

射频功率晶体管，GaN, 1.2 ~ 1.4 GHz, 21.3 dB, 61.8 dBm, NI-1230(带耳)

射频晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频功率晶体管，GaN, DC - 6 GHz, 18.8 dB, 45.4 dBm, 35w, 48v, QFN, 4 x 3mm

射频功率晶体管，2.7 ~ 2.9 GHz, 21.2 dB, 56.3 dBm, 400w, 50v, GaN, 2-引脚，NI-780 Pkg(带耳)

射频晶体管，.96至1.215 GHz, 1800w, 65 V, 22.5 dB增益，NI-1230耳Pkg

射频功率晶体管，9.2至9.7 GHz, 28v, 30w, GaN IMFET

射频功率晶体管，2.7至3.1 GHz, 500 W, 50 V, GaN, RF-565, 17.4 x 24

射频功率晶体管，DC - 2700 MHz, 21.8 dB, 150 W, 65 V, GaN, 6引脚DFN

射频晶体管，.03至1.20 GHz, 20.8 dB, 5 W, 50 V, GaN, 6 x 5 mm

RF晶体管，DC - 12 GHz, 24 dB, 10 W, 32 V, GaN, 3 x 3 mm, QFN

射频功率晶体管，3.1至3.5 GHz, 50v, 450w, GaN, RF-565

RF功率晶体管，DC至3.6 GHz, 48v, 75w, GaN，表面贴装塑料Pkg

射频功率晶体管，直流- 25ghz, 16db, 10w, 28v, GaN

射频功率晶体管，DC - 25ghz, 16db, 5w, 28v, GaN， .60 x .55 x.10, DIE

射频功率晶体管，直流至25ghz,14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X。10日死亡

射频功率晶体管，GaN, DC到4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN, 4 x 3 mm

射频功率晶体管，GaN，直流至25 GHz, 2 W, 28 V， .411 x .551 mm, DIE

射频功率晶体管，直流至25ghz, 15db, 7w, 28v, GaN

射频功率晶体管，.03- 1.215 GHz, 15W, 28v, GaN

RF功率晶体管，DC至3.6 GHz, 25db, 48V, 49.5 dBm, GaN, DFN, 6引脚，7.2 x 6.6

Qorvo的TGF3021-SM是一款30 W (P3dB)宽带不匹配的SiC HEMT分立GaN，工作范围从DC到4 GHz，电源轨道为32V。该设备采用行业标准3x4mm QFN封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。评估板可根据要求提供。

射频功率晶体管，DC至4.0 GHz, 125 W, 50 V, GaN, NI-360陶瓷

射频功率晶体管，DC至12 GHz, 27 W, 19.6 dB, 32 V, GaN, DIE

Qorvo TGF2819-FL是一种功率大于200w峰值(平均功率40w) (P3dB)的SiC HEMT分立GaN，工作范围为直流至4.0 GHz。该设备采用Qorvo经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准

评估板可根据要求提供。

TriQuint T1G4020036-FS是一个240 W峰值(平均48 W) (P3dB) SiC HEMT上的离散GaN，从直流到3.5 GHz工作。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准

TriQuint T1G4020036-FL是一个240 W峰值(平均48 W) (P3dB) SiC HEMT上的离散GaN，从直流到3.5 GHz工作。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25HV工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

无铅，符合ROHS标准。

TriQuint T2G6001528-SG是一种15W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，工作频率从直流到6.0 GHz。该设备采用TriQuint经过验证的TQGaN25工艺，该工艺具有先进的现场板技术，可在高漏压工况下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器排队和更低的热管理成本。

Qorvo的T2G4005528-FS是一款55 W (P3dB)宽带输入预匹配的SiC HEMT离散GaN，工作范围为直流至3.5 GHz和28V电源轨。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准

评估板可根据要求提供。

TriQuint TGF2023-2-20是一种基于SiCHEMT的20毫米分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供49.6 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.5 dB。最大功率增加效率为52%，这使得TGF2023-2-20适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

TriQuint TGF2023-2-10是基于SiCHEMT的离散10毫米GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供46.7 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.8 dB。最大功率增加效率为55%，这使得TGF2023-2-10适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点:

TriQuint TGF2023-2-05是一种基于SiCHEMT的5.0 mm分立GaN，工作范围从直流到18 GHz。该部件采用TriQuint经过验证的0.25um GaN生产工艺设计。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏压操作条件下优化微波功率和效率。该器件通常提供43.9 dBm的饱和输出功率，在3 GHz时功率增益为17.8 dB。最大功率增加效率为56%，这使得TGF2023-2-05适用于高效率应用。该部件无铅，符合RoHS标准。

特点: