如何在不损坏设备的情况下偏置氮化镓晶体管:视频教程

您是一名从未接触过氮化镓(甘)或耗尽型场效应晶体管的射频或微波工程师？您是否总是损坏氮化镓器件或评估板样品，但却又不知道损坏原因？

氮化镓是一项相对较新的半导体技术，尤其是在商业应用领域。由于与LDMOS等现有技术相比，氮化镓具有优异的特性，所以每天都有更多的应用采用氮化镓。尽管工程师可能会认为氮化镓类似于LDMOS，但事实并非如此。

本博文和我们的简短视频教程将介绍几个小窍门，告诉您如何偏置氮化镓产品以实现最佳性能。

关于氮化镓需谨记以下几点

氮化镓HEMT是耗尽型器件，也就是说当栅极源电压为零时，器件处于常开状态。如果您从未接触过氮化镓，则应谨记以下两个关键点：

• 使用氮化镓时，您需要正、负电压，即高漏极正电压和较低栅极负电压。
• 即使在向电路施加射频信号之前，我们都必须以特定的顺序进行氮化镓偏置，否则可能会损坏器件。

相反，LDMOS是一种增强型器件，并且需使用高漏极正电压和较低栅极负电压。对于LDMOS，可同时施加栅极电压和漏极电压。