射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 18 dB, 58.75 dBm, NI-780

射频功率晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 48 V, 6 W, DFN, 4.5 x 4.0 mm

射频功率晶体管，GaN, 3.3至3.6 GHz, 13.3 dB, 49.5 dBm, 60 W, DFN, 7 x 6.5 mm

射频功率晶体管，GaN，直流至1.7 GHz, 500 W, 50 V, NI-780 Pkg

射频功率晶体管，GaN, 2.5至2.7 GHz, 15 dB, 50.5 dBm, DFN, 7 x 6.5 mm

射频功率晶体管，1.2至1.4 GHz, 17 dB, NI780耳封装

射频功率晶体管，GaN，直流到5 GHz, 19 dB, 43 dBm, 48 V, DFN, 4.5 x 4.0

射频功率晶体管，GaAs pHEMT，直流至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

射频功率晶体管，GaAs pHEMT，直流至20 GHz, 11.5 dB, 29.5 dBm, DIE

射频功率晶体管，GaAs pHEMT，直流至20 GHz, 12 dB, 28 dBM, DIE

射频功率晶体管，GaAs pHEMT，直流至20 GHz, 10.4 dB, 32.5 dBm, DIE

射频晶体管，GaAs，直流到20 GHz, 14 dB, 22 dBm, DIE

射频晶体管，GaN, 3.4至3.6 GHz, 15 dB, 47 dBm, DFN, 7 x 6.5 mm

射频功率晶体管，GaN, 1.2至1.4 GHz, 21.3 dB, 61.8 dBm, NI-1230(耳)

射频晶体管，GaN, 2.5至5.0 GHz, 8 W, 48伏

射频功率晶体管，3.4至3.8 GHz, 20 dB, DFN过模包

射频功率晶体管，GaN, DC - 6 GHz, 18.8 dB, 45.4 dBm, 35 W, 48 V, QFN, 4 x 3 mm

射频功率晶体管，.42至.45 GHz, 25.9 dB, 1300 W, NI-1230

射频功率晶体管，2.7至2.9 GHz, 21.2 dB, 56.3 dBm, 400 W, 50 V, GaN, 2引线，NI-780 Pkg(耳)

射频转换器，2.7至3.5 GHz, 18.4 dB, 45 dBm, 30 W GaN, 50 V, DFN, 6 x 5

射频晶体管，.96至1.215 GHz, 1800 W, 65 V, 22.5 dB增益，NI-1230耳Pkg

射频功率晶体管，9.2至9.7 GHz, 28 V, 30 W, GaN IMFET

射频功率晶体管，.03至1.2 GHz, 21 dB, 39.4 dBm, 50 V, DFN/ SMT 6 x 5毫米

射频功率晶体管，2.7至3.1 GHz, 500 W, 50 V, GaN, RF-565, 17.4 x 24

射频功率晶体管，DC - 2700 MHz, 21.8 dB, 150 W, 65 V, GaN, 6引脚DFN

射频晶体管，.03至1.20 GHz, 20.8 dB, 5 W, 50 V, GaN, 6 x 5 mm

射频晶体管，DC - 12 GHz, 24 dB, 10 W, 32 V, GaN, 3 x 3 mm, QFN

射频功率晶体管，3.1至3.5 GHz, 50 V, 450 W, GaN, RF-565

射频功率晶体管，直流至3.6 GHz, 48 V, 75 W, GaN，表面安装塑料Pkg

射频功率晶体管，30至1200 MHz, 15 W, 50 V, GaN, 8-Pin, DFN, 6 x 5毫米

射频功率晶体管，DC - 1.7 GHz, 50 V, 500 W, GaN, NI-780 Pkg

射频功率晶体管，DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI—360

射频晶体管，DC - 3.2 GHz, 125 W, 50 V, GaN, NI-360耳

射频功率晶体管，直流- 25 GHz, 16 dB, 10 W, 28 V, GaN

射频功率晶体管，DC - 25 Ghz, 16 dB, 5 W, 28 V, GaN， .60 x .55 x.10, DIE

射频功率晶体管，直流至25 GHz, 14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X。10日死亡

射频功率晶体管，GaN，直流至4.0 GHz, 22.3 dB, 46.9 dBm, 49 W, QFN, 4 x 3 mm

射频晶体管，功率，2.5 - 2.7 GHz, 55.6 dBm, 22 dB, GaN, NI-780陶瓷

RF晶体管，1.2 - 1.4 GHz, 500 W, 50 V, GaN, RF- 565pkg

射频功率晶体管，直流到25 GHz, 15 dB, 7 W, 28 V, GaN

射频功率晶体管，GaN，直流至25 GHz, 2 W, 28 V， .411 x .551 mm, DIE

射频功率晶体管，.03- 1.215 GHz, 15W, 28 V, GaN

Qorvo的TGF2979-SM是在SiC HEMT上工作的25 W (P3dB)离散GaN，工作电压从直流到12 GHz。该装置采用经过验证的TQGaN25工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏偏工况下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，即更少的放大器队列和更低的热管理成本。

该设备安装在一个工业标准的3 × 4毫米表面安装QFN包。

无铅，符合ROHS标准

Qorvo TGF2977-SM是一个6 W (P3dB)的SiC HEMT离散GaN，从直流到12 GHz工作。该装置采用经过验证的TQGaN25工艺，具有先进的现场板技术，可在高漏偏工况下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，即更少的放大器队列和更低的热管理成本。

该设备安装在一个工业标准的3 × 3毫米表面安装QFN包。

无铅，符合ROHS标准。

下载这个白皮书由英国Plextek RFI的设计师开发，展示了基于TGF2977-SM的单级功率放大器的出色性能，工作在x波段9.3至9.5GHz。

射频功率晶体管，直流至3.6 GHz, 25 dB, 48V, 49.5 dBm, GaN, DFN, 6引脚，7.2 x 6.6

Qorvo的TGF3021-SM是一款30 W (P3dB)的SiC HEMT宽带不可匹配的分立GaN，工作范围从直流到4 GHz和32V供电轨。该设备采用工业标准3x4mm QFN封装，非常适合于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该装置可支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。应要求提供评估委员会。

Qorvo的TGF2929-FL是一个100 W (P3dB)宽带输入预先匹配的离散GaN在SiC HEMT上，工作范围为直流到3.5 GHz和28V供电线路。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该装置可支持脉冲和线性操作。

无铅，符合ROHS标准。应要求提供评估委员会。

Qorvo TGF2965-SM是一个6W (P3dB)， 50欧姆输入匹配的离散GaN在SiC HEMT上，工作在0.03到3.0 GHz。集成的输入匹配网络可以实现宽带增益和功率性能，而输出可以在板上匹配，以优化带宽内任何区域的功率和效率。

该设备安装在一个工业标准的3 × 3毫米表面安装QFN包。

射频功率晶体管，直流至12 GHz, 27 W, 19.6 dB, 32 V, GaN, DIE

射频功率晶体管，直流至12 GHz, 12 W, 18.2 dB, 32 V, GaN, DIE