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所述Qorvo QPD1029L是对SiC HEMT 1500 W(P3dB)离散的GaN其操作从1.2至1.4千兆赫。在包装内输入预匹配导致便于外部板匹配的和节省电路板空间。该装置是在工业标准气腔封装,非常适合于IFF,航空电子设备和测试仪器。该设备可以同时支持CW和脉冲操作。
无铅,符合RoHS标准。
有关氮化镓的热性能的其他信息指的是以下应用笔记和视频。
此产品显示在以下应用框图:
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