Qorvo对创新的持续承诺扩展到我们的主要合作伙伴。Qorvo的美国铸造厂是国防部和战略防金博宝安卓版御素数的关键资源,用于开发关键任务应用的尖端技术和创新。我们的铸金博宝安卓版造服务以满足自定义要求的为中心,可以将产品和流程解决方案融合在一起。
我们为美国国防部提供了最大的GAN/GAAS铸造工艺和高级包装专业知识的投资组合。金博宝安卓版我们的投资组合包括世界一流的行业领导高性能和高产的GAN MMIC流程,从L,S,X,KU到KA Band。Qorvo的综合铸造服务与我们创新的GAN产金博宝安卓版品解决方案相辅相成,包括完整的MMIC放大器,DIE级FET,开关和DC-35 GHz的宽带晶体管
•支持多个应用程序:雷达,高级通信,EW,航空航天
•通过较短的交货时间提供提高效率
•Gan F金博宝安卓版oundry Services支持高功率应用程序,并补充我们的高频标准产品组合
•内部高度专业的包装和集成装配设施(Amma)
•20多年的专业知识包装和测试高频组件
•产品具有相同的高精度流程控件,可确保NASA信任的可靠性和功能
•美国DMEA已完全认可为1A类“可信来源”自2008年以来
•在国防/航空航天,移动和基础设施市场中拥有经验的30多年来,为国防部提供了支持
•美国国防部的最大商业开放式铸造厂和解决方案提供商金博宝安卓版
•GAN/GAAS铸造工艺的最大投资组合金博宝安卓版
•唯一实现制造准备水平10的GAN供应商
•行业领先的GAN可靠性 - 实现>1000万小时MTTF在200C,远远超过100万小时的行业标准
Qorvo的综合铸造服务得到了我们的创新性金博宝安卓版GAN解决方案,包括来自DC-35 GHz的完整MMIC放大器,模具级FET,开关和宽带晶体管。我们的铸金博宝安卓版造产品具有与高精度流程控件的制造,可确保NASA受信任的可靠性和功能。
0.25 UM QGAN25: •II代0.25微米的碳化硅(SIC)上; 100mm晶片;DC-18 GHz应用 •2012年生产版本 •通过23 GHz操作 •≤40V操作电压 |
0.15 UM QGAN15: •SIC上的0.15微米gan; 100mm晶片;DC-40 GHz应用具有高达28 V的排水偏置应用 •2013年生产版本 •通过50 GHz操作 •≤28V操作电压 |
0.25 UM高压QGAN25HV: •SIC上的高压0.25微米; 100mm晶圆,DC-10 •2013年发行的生产 •通过10 GHz操作 •≤50V操作电压 |
0.50 UM QGAN50: •SIC上的0.50微米gan; 100mm晶片;DC-10GHz应用程序 •2015年发行的生产 •通过10 GHz操作 •≤65V操作电压 |
Qorvo为国防和航空航天客户带来了最可靠,最有效的GAN投资组合。凭借出色的功率,效率和增益,我们的客户可以灵活地设计系统,而不会失去性能。我们创新的GAN产品解决方案包括完整的MMIC放大器,模具级FET,开关和宽带晶体管。
Qorvo's防御和网络通信客户从我们的美国高级微波模块组装设施(也称为“ Amma”)获得全面的制造服务。
通过我们的内部设施,我们可以使用几乎任何标准或自定义包装的设备进行原型设备,测试可制造性和坡道,并使用几乎任何标准或自定义包装。
Amma为Qorvo的设计,制造,组装和包装提供了一家“一站式商店”。这个世界一流的设施位于得克萨斯州达拉斯以北通讯,,,,雷达和电子战(EW)申请。