GAAS PHEMTS

Qorvo使用我们最先进的超低噪声0.15 µm Phemt和0.25 µm的E-Phemt工艺提供多种离散的晶体管组件。这些离散设备可在设计低噪声放大器（LNA）的电路时进行完全控制。各种离散FET的NF（最小值）低至0.15 dB，可在22 GHz中使用。匹配的对晶体管也可用，非常适合平衡的LNA设计。