Qorvo GaN优势
氮化镓推进射频技术
氮化镓（GaN）技术不断发展，在不断增加的功率密度、可靠性和缩小尺寸的增益的情况下突破了可能的极限。GaN已不再是一种仅用于国防/航空航天应用的技术，它正在更复杂的应用中实现越来越高的频率，如相控阵，雷达，5G基础收发站，有线电视(CATV)，甚小孔径终端和国防通信。
Qorvo在GaN拥有20多年的研究和创新领导经验GaN-on-SiC射频技术继续提供最高的性能和可靠性，以满足客户的需求。通过我们与金博宝安卓版DARPA WBGS二期和三期以及其他研究实验室，我们帮助实现氮化镓未来的发展方向。
甘新产品
成熟的技术
凭借在GaAs和GaN领域超过30年的专业经验，Qorvo已经完成了超过1000个MMIC设计。从空间技术到国防，再到无线和有线电视，我们的设计范围从近直流到w波段。
Qorvo提供可靠的、创纪录的GaN电路可靠性和紧凑、高效的产品。这为更强劲的性能、更低的运营成本和更长的运营寿命铺平了道路。
我们对我们推荐的GaN专业知识充满信心这十个问题可以确保您为自己选择正确的GaN供应商。Qorvo的GaN产品和技术使您周围的系统保持连接和保护。
GaN提供无与伦比的性能
- 高功率密度
- 减少尺寸和零件数量
- 优异的增益和效率
- 稳健的操作和长脉冲能力
- 高工作电压，提高系统功率效率
Qorvo GaN技术的好处
- 创纪录的可靠性超过以前的行业标准
- 在安全的美国设施中集成/封装/测试的独特能力
- 屡获殊荣的创新，包括钻石器件上的第一个GaN
- 率先将0.15 μ m和0.25 μ m GaN技术推向市场
- 美国国防部(DoD)认可的类别1A“微电子可靠来源”他们的最高称号，证明了Qorvo的产品，过程和程序符合严格的控制和安全的处理标准
GaN-on-SiC优势
库尔沃的GaN亮点
遗产
自1999年以来一直是国防和商用氮化镓研究的领导者
氮化镓产品
广泛选择创新的氮化镓放大器，晶体管和开关
大学的合作伙伴
麻省理工学院、圣母大学、科罗拉多大学博尔德分校、德克萨斯大学达拉斯分校、俄亥俄州立大学和布里斯托尔大学
研究
性能和可靠性开发领域的领导者
最近的荣誉
- 2015科技巨头企业创新奖
- 2013年获得美国国防部高级研究计划局NJTT项目CS行业奖
- DARPA MPC计划2012年CS行业奖
- 2011年国防高级研究计划局下一个项目CS行业奖
积极研发项目
- 美国国防部高级研究计划局(DARPA)的NEXT计划，用于高度复杂、高频的GaN mmic
- 美国国防部高级研究计划局(DARPA)与洛克希德·马丁公司(Lockheed Martin)合作的ICECool项目，测量了碳化硅上氮化镓的热管理
- DARPA Microscale Power Conversion项目开发超高速电源开关技术，并将技术集成到下一代放大器中
- DARPA近结热传输(NJTT) GaN项目旨在通过增强热管理提高电路功率处理能力
- 国防生产法（DPA）第三章氮化镓雷达/电子战单片微波集成电路
氮化镓技术
- QGaN25:第II代0.25微米碳化硅(SiC) GaN;100毫米晶圆;直流-18 GHz应用，漏极偏压高达40 V
- QGaN25HV: 0.25微米碳化硅上的高压GaN;100mm晶圆片，dc - 10ghz，漏极偏压高达48v
- QGaN15:SiC上的0.15微米GaN；100mm晶圆；DC-40 GHz应用，漏极偏置高达28 V
- QGaN50:SiC上的0.50微米GaN；100mm晶圆；DC-10GHz应用，漏极偏置高达65 V
奖励和认证评估
