性能是在室温下的典型。
(1) - OFDM,200 MHz的调制带宽,64QAM。
所述QPF4006是多功能针对39GHz氮化镓MMIC前端模块相控阵5G基站和终端。该器件结合的低噪声高线性LNA,低插入损耗高隔离TR开关,和一个高增益高效率的多级PA。
所述QPF4006从37千兆赫至40.5千兆赫范围内工作。接收路径(LNA + TR SW)被设计成提供增益和比4.2分贝噪声系数少的18分贝。发射路径(PA + SW)提供小信号增益和2W的饱和输出功率为23分贝。
紧凑4.5毫米×4.0毫米表面封装配置设计为满足相控阵列的应用的紧密晶格间距要求。
所述QPF4006制造在对SiC过程Qorvo的0.15um的GaN。它被容纳在空气腔层压封装具有嵌入的铜散热块。铜蛞蝓,加上一个低热阻管芯附着工艺,允许QPF4006到在相控阵列应用所需要的极端的情况下的温度下运行。
| 频率最小(千兆赫) | 37 |
| 最高频率(千兆赫) | 40.5 |
| Tx增益(D b) | 23 |
| TX PSAT(W) | 2 |
| TX电压(V) | 20 |
| TX电流(嘛) | 159 |
| 接收增益(D b) | 18 |
| RX NF(D b) | 4.2 |
| RX电压(V) | 20 |
| 接收电流(嘛) | 15 |
| 包装类型 | 强化SMP |
| 包(毫米) | 4.5×4.0×1.8 |
| RoHS指令 | 是 |
| 无铅 | 是 |
| 无卤 | 是 |
| ITAR限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |