如何偏离GaN晶体管而不损坏设备：视频教程

你是一个从未与之合作的射频或微波工程师吗？氮化镓（GaN）或者耗尽模式FET.？您是否继续损坏您的采样的GaN零件或评估板，但不知道为什么？

GaN是一种相对较新的半导体技术，特别是在商业应用中。由于GaN的优越的房产超过现任技术LDMOS.，它每天都在更多的应用程序中使用。虽然工程师可能假设GaN类似于LDMOS，但它不是。

这个博客帖子和我们的简要教程视频为您提供如何为最佳效果偏向GaN产品的提示。

要记住的关键事情

GaN Hemts是耗尽模式装置，这意味着当栅极源电压为零时，设备通常在开启。如果您是甘新的，重要的是实现这两个关键点：

• 使用GaN时，您需要正极和负电压 - 正极，高漏极电压和较低，消极的栅极电压。
• GaN的偏置测序必须在某个序列中进行 - 即使在RF信号应用于电路之前 - 否则您危险损坏设备。

相比之下，LDMOS是一种增强模式设备，需要正，高漏极电压和较低的，积极的栅极电压。对于LDMOS，可以与漏极电压同时施加栅极电压。