氮化镓及其在射频应用中优于其他半导体的3个原因

1. 高细分领域:由于GaN的带隙大，GaN材料具有高的击穿场，这使得GaN器件能够在比其他半导体器件高得多的电压下工作。当受到足够高的电场时，半导体中的电子可以获得足够的动能来打破化学键(这个过程称为碰撞电离或电压崩溃）.如果不控制冲击电离，它会降低设备的性能。因为氮化镓器件可以在更高的电压下工作，所以它们可以用于更高功率的应用。
2. 高饱和速度:GaN上的电子具有较高的饱和速度(电子在非常高的电场中的速度)。当与大的充电能力相结合时，这意味着GaN器件可以提供更高的电流密度。
   
   射频功率输出是电压和电流波动的乘积，因此在实际尺寸的晶体管中，更高的电压和电流密度可以产生更高的射频功率。简单地说，氮化镓器件可以产生更高的功率密度。
3. 优秀的热性能:GaN-on-SiC器件表现出优异的热性能，主要是由于SiC的高导热性。在实际应用中，这意味着当消耗相同的功率时，GaN-on-SiC器件不像GaAs或Si器件那样热。“更冷”的设备意味着更可靠的设备。

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-摘自John Wiley & Sons, Inc.的许可GaN射频假人技术。