如何视频：了解GaN器件的热分析
2019年11月18日
您是否使用主动和被动微电子电路和设计？如果是这样，你非常熟悉高温可以对这些设备的负面影响。高工作温度可能导致性能下降和使用寿命减少。因此，工程师应不断考虑对设备设计中的潜在问题的热意义。
氮化镓（GaN）仍然被认为是一种相对较新的半导体技术。因为它的优越的特性，它在以前在遗留技术主导的市场领域使用了越来越多。GaN上方的一个领域在现任技术上升是热管理。简而言之，GaN“可以取热”比其他半导体技术要好得多。
这个博客帖子和我们的视频标题为“理解GaN热分析”提供关于如何使用GaN进行热考虑的实用提示。
如何确定GaN可靠性
通过估计器件的最大沟道温度（T）部分地推导了半导体器件的可靠性CH，马克斯)所以估计寿命可以确定。这些数值是通过测量和模拟热阻、功率耗散和热传递来收集的。
您将了解：
- GaN可靠性和热阻
- 计算设备功耗
- 估算设备通道温度和寿命
红外（IR）显微镜广泛用于通过搜索半导体器件上的热点来确定故障位置。然而，空间分辨率限制，难以成像反射表面，以及芯片表面结构（空气桥）限制IR成像用于测量GaN通道温度的有用性。此外，即使从IR测试获得完全准确的数字，也是真正的最大信道温度实际上居住在设备门下方的某处。
尽管使用红外技术有局限性，但它仍然是测量设备温度的常用技术。在Qorvo，除了红外成像外，我们还采取了一些步骤来精确测定GaN TCH，马克斯.我们使用3D热建模，也与微拉曼热成像一起使用3D热建模（FEA），然后将这些结果与RF测试和IR成像进行比较。使用此组合数据集，我们开发了一个用于包装部件的FEA模型，为T提供准确的值CH，马克斯.
确定设备最大T的两个主要步骤中国和FEA可靠性估计
（1） 寻找设备红外表面中国
- 首先，必须确定器件的基础温度。
- 该部件是否处于模具或包装形式 - 基础温度类似地测量 - 通常使用热电偶。
- 一旦知道基本温度，下一步就是计算功耗。
- 在线使用QorvoPAE / P.不公正地批评/ T.j计算器帮助您确定设备的功耗。
- 你也可以使用这个计算器来确定你的最高通道温度。
（2） 确定FEA设备的平均失效时间
- 如前所述，实际的最大t中国对于GaN设备，如下所述的设备门下方的表面发生GaN器件沟道温度、热阻及可靠性估算。
- 通过了解您的IR表面温度值，您可以确定FEA模型T.中国通过使用GaN设备寿命估计FEA建模温度估算与IR估算图表，如下所示。
- 那就拿这张照片来说吧中国重视并使用Qorvo GaN设备可靠性图形以确定您的寿命预测。
我们鼓励您查看短文章视频“理解GaN热分析”以及申请说明GaN设备通道温度，热阻和可靠性估计有关此主题的更详细解释。
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