Greensboro，NC和Hillsboro，或 - 2015年8月25日 -库尔沃™领先的移动、基础设施和航空航天/国防应用核心技术和射频解决方案提供商，今天宣布，它已经成功地将其专有的QGaN25氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）工艺规模化，在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路（MMIC）。从4英寸晶圆到6英寸晶圆的转变预计将使Qorvo的GaN-on-SiC制造能力增加一倍左右，并对制造成本产生有利影响，从而大大加快了射频器件的廉价制造。
“在6英寸晶圆上的SiC MMIC上的GaN成功示范铺平了大大提高了生产能力和成本效率的方式，”Qorvo基础设施和国防产品集团（IDP）总裁James Klein表示。“这是一个重要的里程碑，扩展了Qorvo的领导地位，为商业和国防市场提供了一流的流程和GaN产品。”
Qorvo成功地证明了它的QGaN25生产工艺，在高产量的X波段功率放大器单片微波集成电路（MMICs）上，可以在SiC晶片上从4英寸扩展到6英寸。本次演示为将该公司所有GaN-on-SiC生产工艺转换为6英寸晶片铺平了道路，其栅极长度从0.15微米到0.50微米不等，涵盖了微波到毫米波的全范围应用。预计2016年全速生产。
12瓦的X波段点对点MMIC功率放大器达到了80%以上的直流和射频输出，在业界处于领先地位。该工艺的可行性为商用基站收发站（BTS）和点对点无线电、有线电视和国防市场的高速生产奠定了基础。
晶圆尺寸扩大的Qorvo Qorvo领导作为防御制造电子机构认可的1A受信任的来源。Qorvo于2014年完成了国防生产法案III GAN，是第一批已达到制造准备水平（MRL）9的公司，证明其高性能制造工艺已准备好进行全利率生产。
国防部的制造准备评估（MRA）确保制造，生产和质量保证能够满足业务使命需求。此过程可确保产品或系统从工厂转换到该字段，为客户提供最佳价值，并满足完全性能，成本和容量目标。
关于Qorvo
库尔沃(纳斯达克：QRVO)是移动、基础设施和航空航天/国防应用核心技术和射频解决方案的领先供应商。Qorvo是在RFMD和TriQuint合并后成立的，拥有6000多名全球员工，致力于为连接世界的一切事物提供解决方案。Qorvo拥有业界最广泛的产品和核心技术组合；世界一流的ISO9001-、ISO 14001-和ISO/TS 16949认证制造设施；是国防部认证的砷化镓、镓和钡钨产品和服务的“可信来源”（1A类）。有关业界领先的核心射频解决方案，请访问m.peiqingedu.com.
Qorvo媒体联系人
Katie Caballero.
营销通讯经理，IDP
Qorvo基础设施和国防产品
+ 1-972-994-8546
katie.caballero@qorvo.com.
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