QPD0030.

    DC - 4 GHz,45瓦,48伏GAN RF功率晶体管

    关键特性

    • 频率范围:DC至4 GHz
    • 输出功率(P3dB): 49 W, 2.2 GHz
    • 线性增益:22.3 DB典型为2.2 GHz
    • 典型的PAE3dB:在2.2 GHz时为71.5%
    • 工作电压:48V
    • 低温封装
    • 可连续波和脉冲的

    QPD0030是一个45W (P3dB)不匹配的分立GaN在SiC HEMT上运行,在48V供应轨道上从直流到4GHz。它是理想的适合基地,雷达和通信应用,并可以支持连续波和脉冲模式的操作。

    QPD0030可用于Doherty结构中,用于小单元、微单元和有源天线系统的基站功率放大器的末级。QPD0030还可以用作微单元基站功率放大器的驱动程序。

    该装置安装在行业标准的4 x 3 mm表面安装QFN封装中。

    无铅和符合RoHS。

    可根据要求提供评估板。

    典型的应用

      • 有源天线
      • 陆地移动无线电
      • 微电池基站
      • 军事无线电通信
    频率最小(MHz) 直流
    频率最大(MHz) 4,000
    获得(D b) 22.3
    Psat(dBm) 46.9
    PAE(%) 71.5
    vd.(V) 48.
    凡好(马) 85.
    包类型 QFN
    (毫米) 4.0 x 3.0
    RoHS
    无铅
    无卤素
    ITAR的限制 没有
    ECCN EAR99

    Modelithics®QorvoGan库

    本产品提供了模型的非线性模型。

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    本产品出现在下面的应用程序框图中:

    • 应用>防御和航空航天>通讯> KA乐队饱和VSAT

      Ka波段饱和甚卫星

    • 应用>国防和航空>电子战>电子战信号干扰器

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      5G Sub-6 GHz的海量MIMO