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该QPD0305是在其操作从3.4至约3.8 GHz的一个塑料包覆成型DFN封装对SiC HEMT双路径离散的GaN。在每个路径是一个单级放大器晶体管。QPD0305可22.5 W中的+48伏运行通过每个路径递送PSAT。无铅和RoHS标准。
此产品显示在以下应用框图:
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