QPD1003型

    1.2 - 1.4 GHz,500瓦,50伏,GaN RF IMFET

    主要特征

    • 频率范围:1.2-1.4 GHz
    • 输出功率(P3dB):1.3 GHz时为540 W
    • 线性增益:19.9 dB典型为1.3 GHz
    • 典型PAE3dB:1.3 GHz时为66.7%
    • 工作电压:50V
    • 低温封装
    • 脉冲能力

    Qorvo的QPD1003是一个500w(P3dB)内部匹配的SiC-HEMT分立GaN,工作频率为1.2ghz至1.4ghz,供电电压为50V。该器件是GaN IMFET完全匹配到50欧姆的工业标准空腔封装,非常适合军用和民用雷达。该设备可以支持脉冲和线性操作。

    无铅和符合RoHS

    评估委员会可根据要求提供。

    有关GaN热性能的其他信息,请参阅以下内容应用笔记视频

    典型应用

      • 平民雷达
      • 军用雷达
    频率最小(兆赫) 1,200
    频率最大(兆赫) 1,400
    增益(分贝) 19.9
    Psat.(DBM) 57.3
    PAE.(%) 66.7
    虚拟磁盘(v) 50
    静电流(嘛) 750.
    包装类型 rf-565.
    rohs. 是的
    无铅 是的
    卤素免费 是的
    ITAR受到限制 没有

    此产品显示在以下应用程序框图中:

    • 应用>国防和航空航天>通信>Ka波段饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

    • 应用>国防和航空航天>电子战> EW信号干扰

      电子战信号干扰机

    • 应用>网络基础设施>卫星通信> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

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