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Qorvo的QPD1003是一个500w(P3dB)内部匹配的SiC-HEMT分立GaN,工作频率为1.2ghz至1.4ghz,供电电压为50V。该器件是GaN IMFET完全匹配到50欧姆的工业标准空腔封装,非常适合军用和民用雷达。该设备可以支持脉冲和线性操作。
无铅和符合RoHS
评估委员会可根据要求提供。
有关GaN热性能的其他信息,请参阅以下内容应用笔记和视频。
此产品显示在以下应用程序框图中:
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