qorvoqpd1009是一个15w（P3dB）的SiC-HEMT分立GaN，工作频率从DC到4ghz。该设备采用Qorvo经验证的QGaN25HV工艺制造，采用先进的场板技术，在高漏极偏压工作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，即更少的放大器线路和更低的热管理成本。
该设备封装在工业标准的3 x 3 mm表面贴装QFN封装中。
无铅，符合ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
典型应用
- 民用雷达
- 干扰机
- 陆地移动无线电通信
- 军用雷达
- 军用无线电
- 窄带放大器
- 测试仪器
- 宽带放大器
| 最小频率（兆赫） | 直流 |
| 最大频率（兆赫） | 4,000 |
| 增益（分贝） | 24 |
| Psat公司（dBm） | 42.3 |
| PAE公司(%) | 72 |
| 虚拟磁盘（五） | 50 |
| 静电流（毫安） | 26 |
| 包装类型 | QFN公司 |
| 包裹（毫米） | 3 x 3个 |
| RoHS | 是的 |
| 无铅 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| ITAR限制 | 不 |
| ECCN公司 | 耳99 |