Qorvo的QPD1010是一个10 W (P3dB)的分立GaN在SiC HEMT上运行，从直流到4 GHz。该设备采用Qorvo公司经过验证的QGaN25HV工艺，该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏置操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，减少放大器的队列和降低热管理成本。
该设备是封装在一个行业标准3 x 3毫米表面安装QFN。
无铅，符合ROHS要求。
评价委员会可根据要求提供。
典型的应用
- 民用雷达
- 干扰器
- 陆上移动无线电通信
- 军用雷达
- 军事无线电
- 窄带放大器
- 测试仪器
- 宽带放大器
| 频率最小(MHz) | 直流 |
| 频率最大(MHz) | 4000年 |
| 获得(dB) | 24.7 |
| Psat(dBm) | 40.4 |
| PAE(%) | 70 |
| Vd(V) | 50 |
| 容器(马) | 18 |
| 包类型 | QFN |
| 包(毫米) | 3 x 3 |
| RoHS | 是的 |
| 无铅 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| ITAR的限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |
Modelithics®Qorvo GaN库
这个产品有一个Modelithics的非线性模型。
Qorvo和Modelithics合作为设计人员提供Qorvo GaN晶体管器件的高精度非线性仿真模型。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成，并且为每个模型提供了一个模型信息数据表。了解更多。