所述Qorvo QPD1013是对SiC HEMT 150 W（P3dB）离散的GaN其操作从DC到2.7GHz。这是在一个超模压塑料封装的单级不匹配功率放大器晶体管。高功率和QPD1013的宽的带宽使得它适合于从DC到2.7GHz许多不同的应用。
该装置被装在一个工业标准的7.2×6.6毫米表面贴装DFN封装。
无铅，符合RoHS标准。评估板可根据要求提供。
典型应用
- 军用雷达
- 民用雷达
- 陆地移动和军用无线电通信
- 有源天线
- 基站
- 干扰器
| 频率最小（MHz）的 | DC |
| 最高频率（MHz）的 | 2700 |
| 获得（D b） | 21.8 |
| PAE（％） | 64.8 |
| VD（V） | 65 |
| IDQ（嘛） | 240 |
| 包装类型 | DFN |
| 包（毫米） | 7.2×6.6 |
| RoHS指令 | 是 |
| 无铅 | 是 |
| 无卤 | 是 |
| ITAR限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |
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