Qorvo的QPD1015L是65 W（P3dB）宽带无与伦比离散的GaN对SiC HEMT其操作从DC到3.7 GHz和一个50V电源轨。该装置是在工业标准气腔封装，非常适合于军事和民用雷达，陆地移动和军用无线电通信，航空电子设备，和测试仪器。该器件可支持脉冲式的，CW和线性运算。
无铅，符合RoHS标准
评估板可根据要求提供。
典型应用
- 航空电子学
- 民用雷达
- 干扰器
- 军用雷达
- 窄带放大器
- 专业和军用无线电
- 测试仪器
- 宽带放大器
| 频率最小（MHz）的 | DC |
| 最高频率（MHz）的 | 3700 |
| 获得（D b） | 20 |
| PSAT（DBM） | 48.5 |
| PAE（％） | 74 |
| VD（V） | 50 |
| IDQ（嘛） | 65 |
| 包装类型 | NI-360 |
| RoHS指令 | 是 |
| 无铅 | 是 |
| 无卤 | 是 |
| ITAR限制 | 没有 |
Modelithics®Qorvo氮化镓库
一个Modelithics非线性模型可用于本产品。
Qorvo和Modelithics已合作为设计者提供了高精度的非线性仿真模型Qorvo的GaN晶体管器件。这个模型库与最新的电子设计自动化（EDA）仿真工具无缝集成，并为每个模型的模型信息数据表是彻底的记录。学到更多。