QPD1017号

    3.1-3.5 GHz,450瓦,50 V GaN RF IMFET

    主要特点

    • 频率范围:3.1-3.5 GHz
    • 输出功率(P3dB):3.3 GHz时为460 W
    • 线性增益:3.3 GHz时典型的16.5 dB
    • 典型PAE3dB:3.3 GHz时为60%
    • 工作电压:50V
    • 低热阻封装
    • 脉冲能力

    QPD1017是一个450w(P3dB)内部匹配的SiC-HEMT分立GaN,工作频率为3.1~3.5ghz,供电电压为50V。该器件是GaN IMFET完全匹配到50欧姆的工业标准空腔封装,非常适合军用雷达。

    符合ROHS。

    评估委员会可根据要求提供。

    典型应用

      • 军用雷达
      • 商用雷达
    最小频率(兆赫) 3,100
    最大频率(兆赫) 3,500
    增益(分贝) 16.5
    Psat公司(dBm) 56.6
    PAE公司(%) 60
    虚拟磁盘(五) 50
    静电流(毫安) 750
    包装类型 射频-565
    包裹(毫米) 17.40 x 24.00 x 4.31毫米
    RoHS 是的
    无铅
    无卤素 是的
    ITAR限制
    ECCN公司 耳99