QPD1025L.

    1800瓦,65伏,.96 - 1.215 GHz,GaN RF输入匹配晶体管

    主要特征

    • 频率范围:.96- 1.215 GHz
    • 输出功率(P3DB.1):1862瓦特
    • 线性增益1:22.5 dB.
    • 典型的3DB.177.2%
    • 工作电压:65 V
    • CW和脉冲能力

    注意1:@ 1.0GHz负荷拉动

    Qorvo QPD1025L是SIC HEMT上的1800 W(P3DB)离散GaN,其运行于.96至1.215GHz。包装内的输入重生导致外部板的易于匹配和节省板空间。该器件位于行业标准空气腔包中,非常适用于IFF,航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持CW和脉冲操作。

    无铅和符合RoHS。

    可根据要求提供评估板

    有关GaN热性能的其他信息,请参阅以下内容应用笔记视频

    典型应用

      • IFF转发人员
      • 航道
    频率最小(MHz) 960.
    频率最大(MHz) 1,215
    获得(D b) 22.5
    Psat.(DBM) 62.7
    PAE.(%) 77.2
    vd.(v) 65.
    凡好(嘛) 1,500
    包装类型 NI-1230(耳)
    rohs.
    无铅
    卤素免费
    ITAR受到限制 没有
    ECCN. EAR99

    Modelithics®QorvoGan库

    本产品提供了模型的非线性模型。

    Qorvo和暗示学者已合作为Qorvo GaN晶体管器件提供具有高精度非线性仿真模型的设计人员。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个型号提供型号信息数据表进行彻底记录。学到更多

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