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1基于3.75ghz的脉冲P4dB性能。
QPD3640是SiC HEMT上的双路径离散GaN,其在LTE下行链路频段42(3.4 - 3.6GHz)和带43(3.6 - 3.8GHz)上操作。该器件是单级匹配的电源Doherty放大器晶体管。QPD3640可在+50 V操作下提供389W的P4DB。无铅,符合RoHS标准。
有关GaN热性能的更多信息,请参阅以下内容申请说明和视频.
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