QPD3800型

    3.4 - 3.8 GHz, 85 Watt, 48 V GaN RF Power Transistor

    关键Features

    • 频率范围:3.4-3.8GHz
    • Drain Voltage: 50V
    • 输出功率(P3dB):85W
    • Maximum Drain Efficiency: 70%
    • 镍-400Ceramic Package

    Qorvo的QPD3800是一种在SiC HEMT上的分立GaN,工作频率为3.4-3.8GHz。该器件是一个单级匹配功率放大器晶体管。

    The QPD38000 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high efficiency systems.

    QPD3800型can deliver PSAT of 85 W at 50 V operation.

    无铅,符合ROHS标准。

    Typical Applications

      • 无线通信
      • Macro Cell Base Station
      • Active Antennas
    频率最小(兆赫) 3,400
    Frequency Max(兆赫) 3,800
    增益(分贝) 21
    Psat(dBm) 49.3
    PAE(%) 70
    虚拟磁盘(V) 50
    静电流(mA) 180
    Package Type 镍-400
    RoHS 是的
    无铅 是的
    Halogen Free 是的
    ITAR Restricted No

    模型石器® Qorvo GaN Library

    A Modelithics non-linear model is available for this product.

    库尔沃and模型石器合作为设计者提供高精度的Qorvo GaN晶体管器件非线性仿真模型。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并用每个模型的模型信息数据表进行了全面记录。了解更多.

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