Qorvo的T1G2028536-FL是SIC HEMT的285 W（P3DB）离散GaN，其从DC到2 GHz。
该器件采用Qorvo经过验证的TQGAN25HV工艺构建，具有先进的现场板技术，可以在高漏极偏置操作条件下优化功率和效率。这种优化可以在更少的放大器阵容和较低的热管理成本方面潜在地降低系统成本。
典型的应用
- 航空电子设备
- 民用雷达
- 全球定位系统(GPS)
- 军事雷达
- 专业和军用收音机
- 测试仪器
- 宽带和窄带放大器
| 频率最小（MHz） | 直流 |
| 频率最大（MHz） | 2,000 |
| 获得（D b） | 19 |
| Psat(dBm) | 54.2 |
| 排水效率（％） | 54. |
| vd.(V) | 36 - 50 |
| 凡好(马) | 576 |
| 包类型 | NI-780. |
| RoHS | 是 |
| 无铅 | 是 |
| 无卤素 | 是 |
| ITAR的限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |