Qorvo的T1G4020036-FL是一个2 x 200 W (P3dB)宽频带输入预匹配的分立GaN在SiC HEMT上工作，从直流到3.5 GHz和一个50V的供电轨道。该设备采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。
无铅，符合ROHS要求
可根据要求提供评估板。
典型的应用
- 民用雷达
- 干扰
- 军事雷达
- 专业和军用收音机
- 测试仪器
- 宽带和窄带放大器
| 频率最小（MHz） | 直流 |
| 频率最大（MHz） | 3500年 |
| 获得（D b） | 18.1 |
| Psat(dBm) | 2 x 53.0 |
| 排水效率（％） | 67.6 |
| vd.(V) | 50. |
| 凡好(马) | 520 |
| 包类型 | NI-650 |
| RoHS | 是 |
| 无铅 | 是 |
| 无卤素 | 是 |
| ITAR的限制 | 没有 |
| ECCN | 3a001.b.3.a.3 |