T2G6000528-Q3
DC - 6 GHz，10瓦，28 V GaN RF功率晶体管
主要特征
- 频率：DC至6 GHz
- 线性增益：17 dB为3.3 GHz
- 工作电压：28 V.
- 输出功率（P3DB）：10W为3.3 GHz
- 无铅和符合RoHS
- Low thermal resistance package
Qorvo的T2G6000528-Q3是SiC HEMT的10 W（P3DB）宽带无与伦比的离散GaN，其由DC到6 GHz和28V电源轨道操作。该器件位于一个行业标准空气腔包中，理想地适用于军事和民用雷达，陆地移动和军用无线电通信，航空电子学和测试仪表。该装置可以支持脉冲和线性操作。
无铅和符合RoHS
Evaluation boards are available upon request.
典型应用
- Cellular Infrastructure
- 通用RF功率
- Jammers
- 专业无线电系统
- Radar
- 测试仪表
- 宽带和窄带防御和商业通信系统
| 频率最小(MHz) | DC. |
| 频率最大(MHz) | 6000 |
| Gain(dB) | 17 |
| Psat.（DBM） | 4.0 |
| Drain Efficiency(%) | 53 |
| Vd（v） | 28 |
| Idq（嘛） | 50 |
| 包装类型 | NI-200 |
| rohs. | Yes |
| Lead Free | Yes |
| 卤素免费 | 没有 |
| ITAR受到限制 | 没有 |
| ECCN. | EAR99 |
Modelithics® Qorvo GaN Library
A Modelithics non-linear model is available for this product.
Qorvo和Modelithicshave partnered to provide designers with high-accuracy nonlinear simulation models for Qorvo GaN transistor devices. This model library integrates seamlessly with the latest electronic design automation (EDA) simulation tools, and is thoroughly documented with a model information data sheet for each model.Learn more。