TGF2018
直流- 20 GHz, 180 um Discrete GaAs pHEMT Die
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End of Life announced May 5, 2020 (保时捷中国20-0054).
上次购买时间：2020年11月15日
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主要特点
- Frequency Range: DC - 20 GHz
- 22dBm Typical Output Power - P1dB
- 12 GHz时14 dB典型增益
- 55%PAE典型@12 GHz
- 1.0 dB典型NF@12 GHz
- 无通孔
- Technology: 0.25 um GaAs pHEMT
Qorvo的TGF2018是一个180微米的分立pHEMT，工作频率从DC到20GHz。TGF2018采用Qorvo经验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺采用先进技术，在高漏偏压工作条件下优化微波功率和效率。
The TGF2018 typically provides 22 dBm of output power at P1dB with gain of 14 dB and 55% power-added efficiency at 1 dB compression. This performance makes the TGF2018 appropriate for high efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides a level of environmental robustness and scratch protection.
Lead-free and RoHS compliant.
典型应用
- Aerospace
- 宽带无线
- Commercial
- 防守
- 高可靠性
- Test and Measurement
| 最小频率(MHz) | 直流 |
| 最大频率(MHz) | 20,000 |
| Gain(dB) | 14 |
| OP1dB（dBm） | 22 |
| Psat公司（dBm） | 22 |
| 法国试验标准(dB) | 1 |
| PAE公司(%) | 55 |
| Vd（五） | 8 |
| Idq（毫安） | 29 |
| 包装类型 | 死 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| 无卤素 | Yes |
| ITAR限制 | 不 |
| ECCN公司 | EAR99 |
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