TGF2023-2-01

    DC - 18 GHZ,6瓦离散电源GAN ON SIC HEMT

    主要特点

    • 频率范围:DC至18 GHz
    • 38 dBm标称PSAT在3 GHz
    • 71.6%的最大PAE
    • 18 dB标称功率增益为3 GHz
    • 偏见:V.D.= 12 -32 v,我DQ.= 125 ma.
    • 芯片尺寸:0.82 x 0.66 x 0.10 mm

    Qorvo的TGF2023-2-01是SiC HEMT上的离散1.25 mm GaN,其从DC到18 GHz。

    该装置通常提供38 dBm的饱和输出功率,功率增益为18dB,3GHz。最大功率增加效率为66%,这使得TGF2023-2-01适用于高效率应用。部分是无铅,符合RoHS。

    典型应用

      • 宽带无线
      • 军事
      • 空间
    频率最小(MHz) DC.
    频率最大(MHz) 18,000
    获得(D b) 18.
    Psat.(DBM) 38.
    PAE.(%) 71.6
    vd.(v) 12到32.
    凡好(嘛) 25到125.
    包装类型
    rohs.
    无铅
    卤素免费
    ITAR受到限制 没有
    ECCN. EAR99

    Modelithics®QorvoGan库

    本产品提供了模型的非线性模型。

    Qorvo和暗示学者已合作为Qorvo GaN晶体管器件提供具有高精度非线性仿真模型的设计人员。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个型号提供型号信息数据表进行彻底记录。学到更多

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    此产品显示在以下应用程序框图中:

    • 应用>防御和航空航天>通讯> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

    • 应用>国防和航空航天>电子战> EW信号干扰

      EW信号干扰器

    • 应用>网络基础设施>卫星通信> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

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