TGF2023-2-02

    DC - 18ghz, 12瓦离散功率GaN上的SiC HEMT

    主要特点

    • 频率范围:直流至18ghz
    • 40.1 dBm标称Psat在3 GHz
    • 73.3%的最大PAE
    • 21 dB标称功率增益
    • 偏见:V.D.= 12到32v, IDQ.= 50 - 250 mA
    • 晶片尺寸:0.82 x 0.92 x 0.10毫米

    Qorvo的TGF2023-2-02是SiC HEMT上的离散2.5 mm GaN,从DC到18 GHz。

    TGF2023-2-02通常提供40.1 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时功率增益为21 dB。TGF2023-2-02的最大功率附加效率为73.3%,这使得它适合于高效率应用。

    该部件无铅,符合RoHS要求。

    典型应用

      • 宽带无线
      • 军事
      • 空间
    频率最小(MHz) DC.
    频率最大(MHz) 18000年
    获得(dB) 21.
    Psat.(DBM) 40.1
    PAE.(%) 73.3.
    Vd(v) 12 - 32
    容器(嘛) 50到250.
    包装类型
    rohs. 是的
    无铅 是的
    卤素免费 是的
    ITAR受到限制 没有
    ECCN. EAR99

    Modelithics®QorvoGan库

    这个产品有一个Modelithics的非线性模型。

    Qorvo和Modelithics合作为设计人员提供Qorvo GaN晶体管器件的高精度非线性仿真模型。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并且为每个模型提供了一个模型信息数据表。了解更多

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    此产品显示在以下应用程序框图中:

    • 应用>防御和航空航天>通讯> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

    • 应用>国防和航空航天>电子战> EW信号干扰

      电子战信号干扰器

    • 应用>网络基础设施>卫星通信> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

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