转化生长因子2023-2-10

    DC - 14 GHZ,SIC HEMT上的50瓦离散电源GAN

    主要特点

    • 频率范围:直流至14GHz
    • 3 GHz时47.4 dBm标称Psat
    • 69.5%的最大PAE
    • 19.8 dB标称功率增益
    • 偏差:VD级= 12到32 v,我DQ公司=200-1000毫安
    • 芯片尺寸:0.82 x 2.48 x 0.10 mm

    Qorvo的TGF2023-2-10是SiC HEMT上的离散10 mm GaN,其从DC到14 GHz。

    TGF2023-2-10通常提供47.4 dBm的饱和输出功率,3 GHz时的功率增益为19.8 dB。最大功率增加效率为69.5%,使TGF2023-2-10适用于高效率应用。

    部分是无铅,符合RoHS。

    典型应用

      • 宽带无线
      • 军事
      • 空间
    最小频率(MHz) 直流
    最大频率(MHz) 14,000
    获得(D b) 19.8
    Psat公司(dBm) 47.3.
    PAE公司(%) 69.5
    vd.(五) 12到32
    凡好(毫安) 200至1,000
    包装类型
    RoHS
    无铅
    无卤素
    ITAR限制
    ECCN公司 3a001.b.3.b.4

    Modelithics®QorvoGan库

    本产品提供了模型的非线性模型。

    Qorvo和暗示学者已合作为Qorvo GaN晶体管器件提供具有高精度非线性仿真模型的设计人员。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个型号提供型号信息数据表进行彻底记录。学到更多.

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    Modowsithics®QorvoGan Library手册

    此产品出现在以下应用程序框图中:

    • 应用>防御和航空航天>通讯> KA乐队饱和VSAT

      Ka波段饱和VSAT

    • 应用>国防和航空航天>电子战>电子战信号干扰机

      EW信号干扰器

    • 应用>网络基础设施>卫星通信>Ka波段饱和VSAT

      Ka波段饱和VSAT