TGF2023-2-20

    DC - 14 GHz,100瓦离散电源GAN ON SIC HEMT

    主要特点

    • 频率范围:DC到14 GHz
    • 50.5 dBm标称PSAT在3 GHz
    • 70.5%的最大PAE
    • 19.2 DB标称功率增益
    • 偏见:V.D.= 12到32 v,我DQ.= 400 - 2000 mA
    • 芯片尺寸:0.82 x 4.56 x 0.10 mm

    Qorvo的TGF2023-2-20是Sichemt上的离散20 mm GaN,其从DC到14 GHz。

    TGF2023-2-20通常提供50.5dBm的饱和输出功率,功率增益为19.2 dB,3 GHz。最大功率增加效率为70.5%,这使得TGF2023-2-20适用于高效应用。

    该产品是无铅,符合RoHS。

    典型应用

      • 宽带无线
      • 军事
      • 空间
    频率最小(MHz) DC.
    频率最大(MHz) 14,000
    获得(D b) 19.2
    Psat.(DBM) 50.5
    PAE.(%) 70.5
    vd.(v) 12到32.
    凡好(嘛) 400到2,000
    包装类型
    rohs.
    无铅
    卤素免费
    ITAR受到限制 没有
    ECCN. 3a001.b.3.b.4

    Modelithics®QorvoGan库

    本产品提供了模型的非线性模型。

    Qorvo和暗示学者已合作为Qorvo GaN晶体管器件提供具有高精度非线性仿真模型的设计人员。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个型号提供型号信息数据表进行彻底记录。学到更多

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    Modowsithics®QorvoGan Library手册

    此产品显示在以下应用程序框图中:

    • 应用>防御和航空航天>通讯> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

    • 应用>国防和航空航天>电子战> EW信号干扰

      EW信号干扰器

    • 应用>网络基础设施>卫星通信> KA乐队饱和VSAT

      Ka带饱和VSAT

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