TGF2953

    DC - 12ghz, 12瓦离散功率GaN上的SiC HEMT

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    产品数据表Rev A - 10/22/2014

    关键特性

    • 频率范围:DC - 12ghz
    • 41.2dBm标称Psat在3.5 GHz
    • 3.5 GHz时最大PAE为73.7%
    • 3.5 GHz时的额定功率增益为18.2dB
    • 偏置:Vd = 32V, Idq = 50mA
    • 技术：SIC上的0.25 UM Power Gan
    • 晶片尺寸:0.82 x 1.14 x 0.10毫米
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    Qorvo公司的TGF2953是一个离散的2.52毫米GaN在SiC HEMT上工作，从DC-12 GHz。

    TGF2953通常提供41.2dBm的饱和输出功率，功率增益为18.2dB，3.5 GHz。最大功率增加效率为73.7％，使TGF2953适用于高效率应用。

    无铅和符合RoHS。

    典型的应用

      • 高效功率放大器
      • 海洋雷达
      • 军事通信
      • 点对点通信
      • 卫星通信（SATCOM）

    产品类别

    应用类别

    频率最小（MHz） 直流
    频率最大（MHz） 12,000
    获得（D b） 18.2
    Psat(dBm) 41.2
    PAE（％） 73.7
    vd.(V) 32.
    凡好(马) 50.
    包类型 死
    RoHS 是
    无铅 是
    无卤素 是
    ITAR的限制 没有
    ECCN EAR99

    数据表

    产品数据表
    Rev A - 10/22/2014

    应用笔记

    应用注意：GaN偏置电路设计指南
    应用说明:GaN器件通道温度、热阻和可靠性估计

    S参数

    S参数

    其他

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