TGF2957

    DC - 12ghz, 70瓦离散功率GaN上的SiC HEMT

    关键特性

    • 频率范围:DC - 12ghz
    • 3ghz时名义Psat为48.6dBm
    • 在3ghz时最大PAE为69.6%
    • 3 GHz时的额定功率增益为19.2dB
    • 偏置:Vd = 32V, Idq = 250mA
    • 晶片尺寸:0.82 x 3.66 x 0.10毫米

    Qorvo公司的TGF2957是一个离散的12.6毫米GaN在SiC HEMT上工作,从DC-12 GHz。

    TGF2957通常提供48.6 dBm的饱和输出功率,功率增益在3 GHz时为19.2 dB。最大功率附加效率为69.6%,这使得TGF2957适合于高效率应用。

    无铅,符合RoHS要求。

    典型的应用

      • 宽带放大器
      • 高效率的功率放大器
      • 航海雷达
      • 军事通信
      • 点对点通信
      • 卫星通信(Satcom)
    频率最小(MHz) 直流
    频率最大(MHz) 12000年
    获得(dB) 19.2
    Psat(dBm) 48.6
    PAE(%) 69.6
    Vd(V) 32
    容器(马) 250
    包类型
    RoHS 是的
    无铅 是的
    无卤素 是的
    ITAR的限制 没有
    ECCN 3 a001.b.3.b.2

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