TGF3020-SM
4 - 6 GHz, 5 Watt, 32 V, 50 Ohm GaN RF Input-Matched Transistor
关键Features
- Frequency range: 4 - 6 GHz
- Output power (P3dB): 6.8W at 5GHz
- Linear gain: 12.7 dB typical at 5 GHz
- 典型的PAE3DB：5 GHz 59.6％
- 工作电压：32V
- Low thermal resistance package
- CW和脉冲能力
- 3 x 3 mm封装
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Qorvo的TGF3020-SM是5W（P3DB），SIC HEMT的50欧姆输入匹配的离散GaN，操作从4.0到6.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能，而输出可以在船上匹配，以优化带内任何区域的功率和效率。
The device is housed in an industry-standard 3 x 3 mm surface mount QFN package.
无铅和符合RoHS。
可根据要求提供评估板。
Typical Applications
- 5.8 GHz ISM
- C-Band Radar
- 通信系统
- 遥测
- Test Instrumentation
- 宽带功率放大器
| 频率最小（MHz） | 4,000 |
| Frequency Max（MHz） | 6,000 |
| 获得（D b） | 12.7 |
| Psat(dBm) | 38.3. |
| PAE（％） | 59.6 @ 5GHz. |
| vd.(V) | 32. |
| 凡好(mA) | 25. |
| 包Type | QFN |
| 包(mm) | 3 x 3. |
| RoHS | 是 |
| 无铅 | 是 |
| Halogen Free | 是 |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
This product appears in the following application block diagrams: