转化生长因子2023-2-05

    DC-18ghz,25瓦SiC-HEMT分立功率GaN

    主要特点

    • 频率范围:直流至18GHz
    • 3 GHz下43 dBm标称Psat
    • 最大PAE为78.3%
    • 18 dB标称功率增益
    • 偏差:VD级=12至32 V,IDQ公司=100-500毫安
    • 芯片尺寸:0.82 x 1.44 x 0.10 mm

    Qorvo公司的TGF2023-2-05是一种在SiC HEMT上的5.0毫米GaN分立器件,工作频率从DC到18 GHz。

    TGF2023-2-05通常提供43 dBm的饱和输出功率,3 GHz时的功率增益为18 dB。最大功率增加效率为78.3%,使TGF2023-2-05适用于高效率应用。

    该产品无铅,符合RoHS标准。

    典型应用

      • 宽带无线
      • 军事
      • 空间
    最小频率(兆赫) 直流
    最大频率(兆赫) 18,000
    增益(分贝) 18
    Psat公司(dBm) 43
    PAE公司(%) 78.3
    虚拟磁盘(五) 12至32
    静电流(毫安) 100至500
    包装类型
    RoHS 是的
    无铅 是的
    无卤素 是的
    ITAR限制
    ECCN公司 3A001.B.3.B.4条

    Modelithics®Qorvo GaN库

    Modelithics非线性模型可用于此产品。

    Qorvo和模型石器合作为设计者提供高精度的Qorvo GaN晶体管器件非线性仿真模型。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并用每个模型的模型信息数据表进行了全面记录。了解更多.

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    Modelithics®Qorvo GaN图书馆手册

    此产品出现在以下应用程序框图中:

    • 应用>国防和航空航天>通信>Ka波段饱和VSAT

      Ka波段饱和VSAT

    • 应用>国防和航空航天>电子战>电子战信号干扰机

      电子战信号干扰机

    • 应用>网络基础设施>卫星通信>Ka波段饱和VSAT

      Ka波段饱和VSAT