UnitedSiC(现为Qorvo®)为电源设计提供了最高性能，最高效的750V SiC FET产品组合
7个D2PAK表面贴装器件提供最佳的灵活性
格林斯博罗，北卡罗来纳州- 2022年7月26日-Qorvo®(纳斯达克股票代码:QRVO)今天宣布7个750V碳化硅(SiC) fet在表面安装D2PAK-7L包。有了这个封装选项，Qorvo的SiC fet专为车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电(快速DC和工业)和IT/服务器电源等快速增长的应用而量身定制。它们为高功率应用提供了最佳解决方案，这些应用需要在热增强封装中实现最高效率、低传导损耗和卓越的成本效益。
在650/750V电压下，业界最低的RDS(on)为900万欧姆(mohms)UJ4C / SC系列分别适合9、11、18、23、33、44和60个妈妈观看。这种广泛的选择为工程师提供了更多的器件选择，从而实现更大的灵活性，以实现最佳的成本/效率平衡，同时保持较大的设计余量和电路稳健性。利用独特的级联SiC FET技术，将常开SiC JFET与Si MOSFET共封装，产生常关SiC FET，这些器件提供一流的RDS x a值，从而在小芯片中实现最低的传导损耗。
UnitedSiC(现为Qorvo)的总工程师Anup Bhalla表示:“D2PAK-7L封装减少了紧凑的内部连接环路的电感，与所包含的开尔文源连接一起，降低了开关损耗，实现了更高频率的工作，提高了系统功率密度。这些器件还具有银烧结晶片连接，因此在标准pcb和IMS基板上具有非常低的热阻，可以最大限度地提取热量。”
D2PAK-7L封装中新的750V第4代SiC场效应管的定价(1000起，FOB美国)从UJ4C075060B7S的3.50美元到UJ4SC075009B7S的18.92美元不等。所有设备均可从授权经销商处获得。
欲进一步了解UnitedSiC(现为Qorvo) UJ4C/SC第4代SiC FET系列如何提供业界最佳的性能指标，降低导通损耗并在更高速度下提高效率，同时提高整体成本效益，请访问https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/．要下载Qorvo的SiC FET用户指南，请点击在这里．
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