Hillsboro，俄勒冈州俄勒冈州，德克萨斯州（美国） - 2013年4月30日 -Triquint Semicondument，Inc。rf性能。Triquint的突破性技术使新世代的RF放大器能够小或多达三倍的射频或多次为当今GAN解决方案的功率。
Triquint于3月份获得复合半导体行业奖，推广其新的甘钻成就。Triquint的基础设施和国防产品总经理James L. Klein兼总经理兼总经理Triqulint L. Klein评论说解锁高效GaN电路的真正潜力将取决于Triquint的先进研发计划的成就。
工作温度在很大程度上决定了高性能半导体可靠性。对于能够非常高的功率密度的GaN设备尤其重要。“通过提高导热率和减少设备温度，我们可以实现新的GaN设备，这些GAN设备可能比今天的产品要小得多。这为我们的商业和国防客户提供了显着的RF设计和运营益处，”他说。
Triquint在国防高级研究项目机构（DARPA）附近的Junction Account Transport（NJTT）计划附近。
NJTT是DARPA新的“嵌入式冷却”计划中的第一项举措，包括冰箱基础和iceCool应用研究和开发参与。NJTT侧重于晶体管的接合近的设备热阻。在设备结构内部的热阻可以负责的正常操作温度的50％以上。Triquint的研究表明，通过其高效的热管理技术，GaN RF器件可以以更高的功率密度和更小的尺寸操作。
Triquint的新GAN成就详细
Triquint的突破涉及将半导体外延覆盖层的成功转移到合成金刚石基板上，提供高导热率和低热界电阻，同时保留临界GaN结晶层。这一成就是第一个证明钻石旋转器件可行性的可行性。结果迄今为止表示Triquint在保持RF功能的同时实现了三倍的散热性的主要NJTT目标;此成就支持将功率放大器尺寸降低或将输出功率提高三倍。正在进行额外的制造改进和广泛的设备测试以优化外延层转移过程，并且完全表征可在这些新的HEMT设备中实现的增强功能。
| Triquint氮化镓产品创新，荣誉和资源： | |
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遗产 |
自1999年以来国防和商业GAN研究的领导者 |
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研究 |
性能和可靠性GaN开发的领导者 |
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大学伙伴 |
马萨诸塞州巴尔多罗大学巴黎圣母院大学博尔德兰大学（Bolderand大学） |
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全球GaN的影响 |
策略分析识别Triquint的GaN R＆D / GaN产品创新 |
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活动研发计划 |
DARPA下一个高度复杂，高频GAN MMICS的计划 |
| 国防生产法案（DPA）标题III甘甘杆菌SIC;雷达和EW MMICS：空军和海军赞助商 | |
| DARPA Microscale电源转换程序开发超快速电源开关技术并将技术集成到下一代放大器中 | |
| 交叉路口附近的DARPA通过增强的热管理来增加电路功率处理能力的GAN程序 | |
陆军研究实验室（ARL）合作研发协议（CRADA）共同开发先进的GAN电路 |
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最近的荣誉 |
2013年CS行业奖对于DARPA NJTT计划;2012年CS行业奖对于DARPA MPC计划;2011年CS行业奖对于DARPA下一步 |
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GaN产品 |
广泛选择创新的GaN放大器，晶体管和开关 |
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甘铸铁金博宝安卓版 |
0.25微米甘SiC;100毫米薄片;DC-18 GHz应用程序 |
有关防御/航空航天产品和铸造服务的更多信息，包括GaN的放大器，晶体管，高功率开关和集成装配能力，请访问我们金博宝安卓版m.peiqingedu.com/gan.。
前瞻性陈述
此Triquint Semiconducment，Inc。在此新闻稿中提出的警告陈述应阅读为适用于它们出现的所有相关陈述。包含“领先”，“特殊”，“高效”，“关键角色”，“领先供应商”或类似术语的陈述被认为包含不确定性，并且是前瞻性陈述。A number of factors affect TriQuint’s operating results and could cause its actual future results to differ materially from any results indicated in this press release or in any other forward-looking statements made by, or on behalf of, TriQuint including, but not limited to: those associated with the unpredictability and volatility of customer acceptance of and demand for our products and technologies, the ability of our production facilities and those of our vendors to meet demand, the ability of our production facilities and those of our vendors to produce products with yields sufficient to maintain profitability, as well as the other “Risk Factors” set forth in TriQuint’s most recent 10-Q report filed with the Securities and Exchange Commission. This and other reports can be found on the SEC web site,www.sec.gov.。此版本的读者应该理解，这些和其他风险可能导致实际结果与前瞻性陈述中表达/暗示的预期不同。
关于Triquint的事实
Triquint Semiconductor（纳斯达克：TQNT）成立于1985年，是全球领先的全球领先的RF解决方案和铸造服务提供商，为世界顶级通信，防御和航空航天公司。金博宝安卓版世界各地的人民和组织需要实时，全时的连接;Triquint产品有助于降低成本并提高连接移动设备的性能以及提供关键语音，数据和视频通信的网络的性能。随着业界广泛的技术组合，公认的研发领导，以及高批量制造的专业知识，Triquint使用砷化镓（GaAs），氮化镓（GaN），表面声波（SAW）和散装声波（BAW）创造标准和定制产品）技术。该公司在美国哥斯达黎加的美国生产中拥有ISO9001认证的制造设施，以及北美和德国的设计中心。
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