QPC3025
0.03-4.2 GHz高功率，反射SPDT开关
QPC3025是绝缘子（SOI）单极，双向（SPDT）开关的硅，设计用于4G / 5G无线基础架构应用程序和其他高性能通信系统。它在具有出色线性的对称拓扑中提供了低插入损失。该开关可以通过50欧姆负载处理高达20 W CW和30 W脉冲功率。RF端口不需要阻止电容器。开关端口是反射的。QPC3025为+1.8 V逻辑兼容，并具有单针溶液，可在必要时禁用负电压发生器和电源负电压。
QPC3025包装在符合ROHS的紧凑型5 x 5 mm表面安装的无铅包装中。
典型应用
- 无线基础架构
- 宏或pico细胞基础
- 中继器
| 开关类型 | SPDT |
| 吸收/反射 | 反光的 |
| 频率最小（MHz） | 30 |
| 频率最大（MHz） | 4,200 |
| 插入损失（D b） | 0.35 |
| 隔离（D b） | 40 |
| 切换速度（NS） | 8,580 |
| IIP3（DBM） | 75 |
| ip0.1db（DBM） | 45 |
| 控制线（＃） | 1 |
| 电压（v） | 2.7至5.5 |
| 当前的（嘛） | 0.09 |
| 包装类型 | SMT |
| 包裹（毫米） | 5.0 x 5.0 |
| Rohs | 是的 |
| 领导免费 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| 限制 | 不 |
| ECCN | 5A991G |