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QPD0011是在DFN封装中的SIC HEMT上的非对称双路离散GaN,其从3.3到3.6 GHz。在每个路径中是单级放大器晶体管。QPD0011可以在深度配置中提供15 W的平均功率。
无铅,符合RoHS标准。
| 频率最小(MHz) | 3,300 |
| 频率最大(MHz) | 3600年 |
| 获得(D b) | 13.3 |
| Psat(dBm) | 49.5 |
| 排水效率(%) | 48. |
| vd.(V) | 48. |
| 凡好(马) | 65. |
| 包类型 | DFN |
| 包裹(毫米) | 7.0 x 6.5 |
| RoHS | 是的 |
| 无铅 | 是的 |
| 无卤素 | 是的 |
| ITAR的限制 | 没有 |
| ECCN | EAR99 |