QPD1006

    450瓦，50伏，1.2 - 1.4 GHz的氮化镓IMFET

    生产>

    产品数据表冯d - 2018年7月16日

    关键特性

    • 频率范围：1.2 - 1.4 GHz的
    • 输出功率(P3dB): 313 W (CW)，在1.3 GHz时468 W(脉冲)
    • 线性增益:17.5 dB (CW)， 17.8 dB(脉冲)在1.3 GHz
    • 典型的DEFF3dB (CW):在1.3 GHz时55% (CW)， 62.2%(脉冲)
    • 工作电压:45V (CW)， 50v(脉冲)
    • 低热阻封装
    • 可连续波和脉冲的
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    所述QPD1006是450 W（P3dB），其上进行操作从1.2至1.4千兆赫和50V电源轨的SiC HEMT内部匹配离散的GaN。该装置为GaN IMFET在工业标准气腔封装完全匹配50欧姆，并且理想地适用于军事和民用雷达。该设备可以支持脉冲和连续波操作。

    符合欧盟ROHS标准。

    评估板可根据要求提供。

    有关氮化镓热性能的更多信息，请参阅以下内容应用注释和视频。

    典型的应用

      • 军用雷达
      • 民用雷达

    产品类别

    应用分类

    频率最小（MHz）的 1200
    频率最大（MHz）的 1400
    获得（D b） 17.5
    Psat(dBm) 54.9
    VD(V) 45
    IDQ(马) 750
    包类型 Ni50-CW
    包(毫米) 19 x 17.68 x 4.49
    RoHS 是
    无铅 是
    无卤素 是
    ITAR的限制 没有
    ECCN EAR99

    数据表

    产品数据表
    冯d - 2018年7月16日

    应用笔记

    应用指南：氮化镓偏置电路设计指南
    应用说明:GaN器件通道温度、热阻和可靠性估计

    嘉伯PCB布局文件

    嘉伯PCB布局文件

    S参数

    S参数

    其他

    设计文件
    DXF文件
    Qorvo®教学视频:理解氮化镓热分析
    QPD1003
    		1.2 - 1.4 GHz, 500瓦，50伏特，GaN射频IMFET
    QPD1017
    		3.1 - 3.5 GHz, 450瓦，50 V GaN RF IMFET
    QPD1018
    		500瓦，50伏，2.7 - 3.1千兆赫，氮化镓RF IMFET
    QPD1019
    		500瓦，50伏，2.9 - 3.3千兆赫，氮化镓RF IMFET

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