QPD1022

    DC - 12 GHz,10瓦,32 V GaN RF晶体管

    关键特性

    • 频率范围:DC - 12 GHz
    • 输出功率(P3DB):2 GHz 11.0 W
    • 线性增益:24.0 dB,通常在2ghz时
    • 典型的PAE3dB: 68.8%在2ghz
    • 工作电压:32V
    • 低热阻封装
    • 可连续波和脉冲的
    • 3 x 3 mm封装

    Qorvo QPD1022是SiC HEMT上的10 W(P3DB)离散GaN,其从DC到12 GHz。该宽带装置是一个单级无匹配功率放大器晶体管,穿过模制的塑料包装。QPD1022的宽带宽使其适用于来自DC到12 GHz的许多不同的应用。

    该装置安装在行业标准的3 x 3 mm表面安装QFN封装中。无铅和符合RoHS。可根据要求提供评估板。

    有关氮化镓热性能的更多信息,请参阅以下内容应用注释视频

    典型的应用

      • 军事雷达
      • 商业雷达
      • 陆地移动和军用无线电通信
      • 有源天线
      • 基站
      • 干扰
    频率最小(MHz) 直流
    频率最大(MHz) 12,000
    获得(D b) 24.
    PAE(%) 68.8
    vd.(V) 32.
    凡好(马) 50.
    包类型 QFN
    (毫米) 3.0 x 3.0
    RoHS
    无铅
    无卤素
    ITAR的限制 没有
    ECCN EAR99

    Modelithics®QorvoGan库

    本产品提供了模型的非线性模型。

    Qorvo和暗示学者已合作为Qorvo GaN晶体管器件提供具有高精度非线性仿真模型的设计人员。该模型库与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并为每个型号提供型号信息数据表进行彻底记录。学到更多

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